Лр4

Рис.4. Схема для определения времени задержки.

Рисунок 4 – сигнал с средней точки схемы и выходной сигнал

Для определения времени задержки используем режим «целевые функции», включающийся по команде Trace/Eval Goal Function.

tdf¿1,57613 10−9нс tdr¿ 2,7346 10−9 нс

Рассчитаем времена задержки для варианта Т1:

11

Рисунок 5 - задание целевой функции для расчета времени задержки по варианту Т1 ( tdf )

Рисунок 6 - задание целевой функции для расчета времени задержки по варианту Т1 ( tdr)

Видим, что время спада и время нарастания изменились: tdf¿1,4335 10−9нс

tdr¿ 2,36143 10−9 нс

12

Вывод: В ходе данной лабораторной работы была определена нагрузочная емкость (СL) инвертирующего ЛЭ для набора данных варианта Т1. Для ее определения использовались такие величины как емкость межсоединений, входная емкость (n+1)-го инвертора, емкости обедненных областей p-n- перехода, емкость диффузионных областей. Полученная емкость лежит в пределах нормы.

Далее производилось составление SPICE-модели, вручную были заданы параметры для моделирования (коэффициенты масштабной миниатюризации и масштабируемые параметры). Конечным результатом работы программы являлось получение ВАХ транзисторов n- и p- типа при вариации технологических параметров ТП от 550 нм до 70 нм. ВАХ для разных типов лежат в различных четвертях координатной плоскости, это соответствует теории.

Конечный этап практической работы – определение времени задержки (время спада и время нарастания). Описание инверторов в схеме было задано с помощью макромодели, далее с помощью «целевых функций» был произведен расчет искомых параметров. Время нарастания оказалось меньше времени спада, как для данных задания, так и для варианта Т1. Времена задержки для разных длин канала будут так же различными.

13