8. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов

8.1. Причины инерционности мдп и биполярных транзисторов

Термины инерционные или динамические свойства транзисторов подразумевают их неспособность мгновенно реагировать на появление входного сигнала. Если входным сигналом являются импульсы, открывающие или закрывающие транзисторный ключ, говорят об импульсных свойствах транзистора. Такие сигналы характерны для основной на сегодня цифровой электроники. Если сигнал непрерывный и описывается функциями частоты или частотным спектром, говорят о частотных свойствах. Такие сигналы характерны для аналоговой электроники.

Главной причиной инерционности любых электронных элементов является наличие в них ёмкостных или индуктивных, т.е. реактивных составляющих токов и напряжений. Так, ёмкостная составляющая тока любого диода возникает в нём из-за барьерной или диффузионной ёмкости. Индуктивная составляющая тока в элементах возникает из-за того, что любой проводник или полупроводник с током обладает индуктивностью. Например, при повышении рабочей частоты в элементах уже приходится учитывать паразитные индуктивности выводов. Ёмкость и индуктивность элементов часто называют паразитными (нежелательными) параметрами.

Паразитная ёмкость обратно пропорциональна, а индуктивность прямо пропорциональна длине пути тока в проводниках и слоях элементов. Поскольку длины проводников и толщины слоёв полупроводниковых элементов минимальны, для них более характерно влияние паразитной ёмкости.

Основным паразитным реактивным параметром МДП-транзистора является ёмкость между затвором и каналом C_зк, рис. 41,а.

а) б)

Рис. 41

Другими факторами инерционности, такими как время дрейфа носителей в канале и его индуктивность почти всегда можно пренебречь.

Сложность учета влияния C_зк состоит в том, что эта ёмкость носит распределённый характер. На каждый элемент длины канала Δl приходится элемент сопротивления канала ΔR_к и элемент ёмкости затвор-канал ΔC_зк. В результате эквивалентная схема, позволяющая выполнить анализ динамических свойств, имеет вид рис.41,б.

Анализ цепей с распределёнными параметрами осложняется тем, что в нём появляется ещё одна переменная – расстояние x. Поэтому находит применение более простая эквивалентная схема с сосредоточенными параметрами, рис. 42. Здесь ёмкость ΔC_зк условно отнесена к двум

Рис. 42

сосредоточенным ёмкостям – между затвором и истоком C_зи и между затвором и стоком C_зс. Эти ёмкости, а также ёмкость между транзистором и окружающим его полупроводником C_п, стали основными параметрами, отражающими инерционные свойства МДП-транзистора [2, 4, 5].

Инерционные свойства БТ в значительной степени определяются ёмкостями его p-n переходов ЭП и КП. Учёт их влияния осложняется тем, что характер и величина ёмкости зависят от напряжений и токов переходов (см. разд. 5.2). Поэтому, наряду с величиной барьерной ёмкости ЭП и КП в отсутствие внешнего напряжения C_б0, к основным параметрам инерционности относят коэффициент влияния m из (29).

Ещё один фактор инерционности БТ - относительно медленное перемещение инжектированных в базу носителей от ЭП к КП. Его влияние учитывается временем пролёта области базы, или просто временем пролета τ_пр [1].