3.2. Диоды Шотки

Если q_м  q_п, в m-n переходе преобладает поток электронов из полупроводника в металл, рис. 13,б. В n-области образуется обеднённый слой.

Уменьшение концентрации свободных электронов в обеднённом слое приводит к появлению здесь положительного заряда нескомпенсированных ионов донорной примеси. Заряды в приграничных областях создают собственное электрическое поле с контактной разностью потенциалов

_к0 = _m – _п (19)

где _к0 – контактная разность потенциалов в равновесном состоянии, т.е. в отсутствие внешнего напряжения.

Чтобы получить открытое состояние контакта, необходимо подать на него прямое напряжение, плюс (больший потенциал) к m – области, минус (меньший потенциал) к n – области. Свободные электроны n – области начнут заполнять обеднённый слой, контактная разность потенциалов уменьшится, потенциальный барьер понизится:

_к = _к0 – U_пр (20)

Распределение свободных электронов примет вид рис. 13,а. Высокая концентрация свободных электронов во всех частях контакта обусловит протекание большого дрейфового тока, прямого тока I_пр.

При обратном напряжении

_к = _к0 + U_обр , (21)

т.е. контактная разность потенциалов и потенциальный барьер возрастут. В обеднённом слое концентрация свободных электронов станет ещё меньше, сам слой расширится. Обратный ток I_обр будет ничтожным.

Поэтому при q_м  q_п m-n переход обладает односторонней проводимостью, т.е. является контактом Шотки.

Аналогичная картина наблюдается в менее распространённом m-p контакте. При q_м  q_p это контакт Шотки, при q_м  q_p – омический контакт.

Вольт-амперные характеристики (ВАХ) омического контакта и контакта Шотки изображены на рис. 14,а и рис. 14,б:

а) б)

Рис. 14

ВАХ контакта Шотки описывается формулой Шокли:

I = I₀(e^U/_T – 1), (22)

Термический потенциал _T при комнатной температуре составляет 0,025 В, а прямые напряжения составляют десятые доли В. Потому при прямых (положительных) напряжениях единицей в скобках в формуле (22) можно пренебречь и ВАХ в области прямых напряжений, так называемая прямая ветвь - экспоненциальная. Ток насыщения, или тепловой ток I₀ при неизменной температуре – константа, определяющаяся конструкцией и материалом контакта, а также степенью легирования полупроводниковых областей. Является параметром контакта. Этот ток называют тепловым из-за сильной зависимости от температуры. В контактах металл-полупроводник и двух полупроводников этот ток обусловлен дрейфом неосновных носителей через внутреннее поле контакта, которое является для них ускоряющим. Поскольку неосновные носители в примесных полупроводниках появляются за счет генерации (в основном, термогенерации), то и величина этого тока зависит непосредственно от температуры.

При обратных напряжениях протекает незначительный ток I₀, а при обратных напряжениях, превышающих напряжение пробоя U_пр, возникает электрический пробой и ток резко возрастает.

Важнейшими достоинствами диодов Шотки являются:

- наименьшие по сравнению с другими диодами напряжения открытого состояния, в пределах 0,2…0,5 В. Это означает, что в диодах Шотки, по сравнению с другими диодами, при одинаковом прямом токе рассеиваемая мощность P_расс = U_прI_пр меньше. Поэтому диоды Шотки отличаются меньшими тепловыми потерями;

- в открытом состоянии ток в них дрейфовый, т.к. его диффузионная составляющая ничтожна. Поэтому у диодов Шотки нет диффузионной ёмкости, емкость чисто барьерная и небольшая, они отличаются высоким быстродействием.