Эл1

Санкт-Петербургский политехнический университет

петра великого

Институт энергетики

Лаборатория электричесих аппаратов

__________________________________________________________

Студент Школьников А.С.

специальность 14.03.01 Ядерная энергетика и теплофизика

3 курса, группа № 3231401/20101

„ “ 2024г.

Работа принята

Отчет о работе №1

«Исследование однофазного и трехфазного неуправляемых выпрямителей»

СХЕМА СОЕДИНЕНИЙ

Рисунок 1 – Принципиальная электрическая схема исследования характеристик биполярного транзистора

Замечания преподавателя:

Рисунок 2 – Принципиальная электрическая схема исследования характеристик МОП- транзистора

Исследование биполярного транзистора

Цель работы: Изучение характеристик, параметров и режимов работы биполярного транзистора с общим эмиттером.

Таблица 1 – Входные характеристики биполярного транзистора

№ п/п	UКЭ=0 В		UКЭ=5 В
	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА
1	0	0	0	0
2	516	4	697	4
3	597	20	1117	20
4	539	40	1543	40
5	673	60	1951	60
6	703	80	2330	80
7	731	100	2707	100

Таблица 2 – Выходные характеристики биполярного транзистора

№ п/п	UКЭ, В	IБ= 10 мкА		IБ= 25 мкА		IБ= 35 мкА		IБ= 40 мкА
		UКЭ, В	IК, мА	UКЭ, В	IК, мА	UКЭ, В	IК, мА	UКЭ, В	IК, мА
1	min	0,9	8	1,121	10,24	1,276	14,11	1,334	15,52
2	5	8,78		11,22		15,32		17,63

Коэффициент передачи транзистору по току:

Дифференциальное сопротивление транзистора:

Тогда

Таблица 3 – Результаты расчетов

IБ, мкА	10	25	35	40
, Ом	5226	3958	3078	1737

Рисунок 3 – Входные характеристики биполярного транзистора

Рисунок 4 – Выходные характеристики биполярного транзистора

Рисунок 5 - Проходная характеристика биполярного транзистора

Исследование полевого транзистора

Цель работы: Изучение характеристик, параметров и режимов работы МОП-транзистора с каналом n-типа.

Таблица 4 – Выходные характеристики МОП-транзисторы

№ п/п	UСИ, В	UЗИ = 3 В	UЗИ = 4 В	UЗИ = 5 В
		IС, мкА	IС, мкА	IС, мкА
1	0,29	28	350	350
2	9,42	30	8400	29000

Таблица 5 – Передаточная характеристика МОП-транзистора

№ п/п	UСИ = 2 В		UСИ = 4 В			UСИ = 6 В
	IС, мкА	UЗИ, В	IС, мкА	UЗИ , В	IС, мкА		UЗИ , В
1	4	2,8	4	2,8	4		2,8
2	100	3,1	100	3,1	100		3,1
3	1000	3,45	1000	3,45	1000		3,45
4	20000	4,62	20000	4,62	20000		4,62
5	40000	5,65	40000	5,65	40000		5,65

Дифференциальное сопротивление:

Крутизна передаточной характеристики линейного участка при отсутствии нагрузки:

Тогда

Таблица 6 – Рассчитанные значения

UзИ, В	3	4	5
, кОм	8521	380	110

S = 0,014 См (для различных значений U_СИ)

Рисунок 6 - Выходные характеристики МОП-транзистора

Рисунок 7 - Передаточные характеристики МОП-транзистора

Анализ полученных результатов и выводы:

В ходе лабораторной работы были исследованы входные и выходные характеристики биполярного транзистора, а также проходная характеристика. Полученные графики имеют схожий характер с теоретическими. В ходе расчетов для биполярного транзистора были получены значения коэффициента передачи и дифференциального сопротивления

Также, исследовались выходные и передаточные характеристики полевого транзистора, были построены соответствующие графики. Была рассчитана величина передаточной характеристики линейного участка и дифференциального сопротивления .

По полученным данным можно сделать вывод, что при увеличении тока базы на биполярном транзисторе дифференциальное сопротивление уменьшается, а на полевом транзисторе оно уменьшается при увеличении напряжения затвор-исток.

Табличные значения для биполярного транзистора VT3: , что меньше полученного нами в 5÷10 раз. Табличные значения для полевого транзистора VT6: , что намного меньше полученного нами значения, S = 110 См, что больше полученного в ходе расчетов.

Перечень применявшихся приборов и машин:

№ п/п	Наименование	Технические данные, пределы измерений	Тип, система	Изготовитель	Зав. номер	Класс точности
1	Мультиметр(V)		Электр.	MASTECH	MY68
2	Мультиметр(V)		Электр.	MASTECH	MY68
3	Миллиамперметр
4	Миллиамперметр
5

Подпись выполнившего работу