МЭТ л2

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ

(МТУСИ)

Факультет "Радио и телевидение"

Кафедра "Электроники"

ОТЧЕТ

по дисциплине "Материалы электронной техники"

на тему:

"Проводимость полупроводников. Вариант 8."

Выполнили

Проверил

Кандидат технических наук, доцент ____________ В.Н. Каравашкина

Москва 2023

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Целью настоящей работы является изучение студентами основных факторов, влияющих на проводимость полупроводников, применяющихся в различных областях техники связи.

В процессе работы студентами изучаются зависимости сопротивления полупроводников металлов от концентрации примеси и температуры.

ХОД РАБОТЫ

В работе рассматривается зависимость сопротивления от температуры и концентрации примеси у акцепторного кремния с размерами ширины, высоты и длины 1, 1, 2 см соответственно.

В таблице 1 приведена зависимость сопротивления и собственной концентрации носителей заряда акцепторного кремния с размерами ширины, высоты и длины 1, 1, 2 см соответственно от температуры при условии, что концентрация примеси равна 0.

Таблица 1 – Зависимость сопротивления и собственной концентрации кремния от температуры

На рисунке 1 приведён график зависимости сопротивления от температуры со значениями из таблицы 1.

Рисунок 1 – Зависимость сопротивления от температуры

На рисунке 2 приведён график зависимость концетрации подвижных носителей заряда от температуры.