- •Генераторы с внешним возбуждением
- •Генератор с внешним возбуждением (ГВВ)
- •Мощный тиристор
- •Многолучевой клистрод (IOT – Inductive Output Tube)
- •Основные параметры УМ
- •Статические проходные характеристики
- •Статические выходные характеристики
- •Аппроксимация статических характеристик обобщенных АЭ
- •Аппроксимация статических характеристик (БПТ)
- •Эквивалентные параметры
- •Аппроксимация статических характеристик (ПТ)
- •Эквивалентные параметры
- •Построение импульсов тока без учета влияния eвых:
- •Построение импульсов тока в ННР
- •Классификация режимов
- •Классификация режимов АЭ по напряженности
- •Импульсы тока в ПНР
- •Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •Зависимости коэффициентов разложения косинусоидального импульса от угла отсечки
- •Динамические выходная и проходная характеристики ГВВ
- •Работа ГВВ в режиме класса А (без отсечки тока)
- •Недонапряженный режим работы транзистора в ГВВ
- •Перенапряженный режим работы транзистора в ГВВ
- •Классификация режимов работы УМ по напряженности
- •Энергетические характеристики ГВВ
- •Зависимость тока коллектора и напряжения на нагрузке каскада от сопротивления нагрузки
- •Зависимость энергетических характеристик ГВВ от сопротивления нагрузки
- •Зависимость КПД ГВВ от величины сопротивления нагрузки
- •Основные задачи при проектировании усилителей мощности
- •Функциональная схема усилителя мощности
- •Эквивалентная схема усилителя мощности с учетом действия обратных связей в ЭП
- •Типовая схема усилителя мощности ВЧ на ПТ
- •Типовая схема усилителя мощности высокой частоты
- •Усилитель с нулевым напряжением смещения
- •Работа ГВВ с углом отсечки меньше 90°
- •Последовательная схема питания лампового ГВВ
- •Параллельная схема питания лампового ГВВ
- •Цепи питания маломощных транзисторных ГВВ
- •Цепи питания мощных ВЧ транзисторных ГВВ
- •Зависимость амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей тока коллектора от амплитуды возбуждения
- •Зависимости амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей тока коллектора от напряжения смещения безынерционного
- •Зависимости амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей тока коллектора, постоянной составляющей тока базы
- •Влияние температуры на проходные характеристики и статический коэффициент передачи тока транзистора
- •Зависимости амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей коллекторного тока от температуры транзистора
- •Схема с эмиттерной стабилизацией
- •Цепи смещения с температурной стабилизацией с терморезистором
- •Цепи смещения с температурной стабилизацией с диодом
- •Схемы активной коллекторной стабилизации
- •Схемы стабилизации напряжения базового смещения
Аппроксимация статических характеристик (ПТ)
Эквивалентные параметры
S i |
/ e |
зи |
, при ес=const |
с |
|
|
Ез0=E´
S |
гр |
i |
/ e |
1/ r , при ези=const |
|
с |
с |
нас |
Построение импульсов тока без учета влияния eвых:
eвх = Ec + Uвхcos t
iвых ( t) = i´вых( t)=S(Ec - E´+ Uвхcos t) при Uвхcos t -(Ec - E´) iвх ( t) = Sвх(Ec - E´вх+ Uвхcos t) при Uвхcos t -(Ec-E´)
cos = - (Ec - E´)/Uвх cos вх = - (Ec - E´вх)/Uвх
Построение импульсов тока в ННР
Классификация режимов
1. По углу отсечки θ:
Построение импульсов тока с учетом влияния eвых (при Zн=Rн):
eвых = Eп - Uнcos t, где Uн=IнRн
i´´вых= Sкр Eп - SкрUнcos t
Для критического режима:
eвх max = Ec + Uвх = eвх max кр
eвых min = Eп – Uн = eвых min кр
eвых min кр = (S/Sкр)(eвх max кр - E´)
Классификация режимов АЭ по напряженности
Импульсы тока в ПНР
Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
iвых( t) = Iвых0 + Iвых1cos t + Iвых2cos 2 t + … Рассчитаем гармоники выходного тока в ННР (КР): iвых = SUвх(cos t - cos )
По формулам для коэффициентов Фурье для четной функции:
Iвых0 SUвх |
1 |
cos t cos d t SUвх 0 |
|||||||
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
||
Где |
0 |
|
1 |
|
cos t cos d t |
1 |
sin cos |
||
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
0 |
|
|
||
Аналогично:
Iвыхn = SUвх n( ), n=1,2…
n |
2 |
|
cos t cos cos n td t |
1 |
sin n 1 |
|
sin n 1 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
n 1 |
|
n 1 |
|||
|
0 |
|
n |
|
|
||||
