
- •Генераторы с внешним возбуждением
- •Генератор с внешним возбуждением (ГВВ)
- •Мощный тиристор
- •Многолучевой клистрод (IOT – Inductive Output Tube)
- •Основные параметры УМ
- •Статические проходные характеристики
- •Статические выходные характеристики
- •Аппроксимация статических характеристик обобщенных АЭ
- •Аппроксимация статических характеристик (БПТ)
- •Эквивалентные параметры
- •Аппроксимация статических характеристик (ПТ)
- •Эквивалентные параметры
- •Построение импульсов тока без учета влияния eвых:
- •Построение импульсов тока в ННР
- •Классификация режимов
- •Классификация режимов АЭ по напряженности
- •Импульсы тока в ПНР
- •Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •Зависимости коэффициентов разложения косинусоидального импульса от угла отсечки
- •Динамические выходная и проходная характеристики ГВВ
- •Работа ГВВ в режиме класса А (без отсечки тока)
- •Недонапряженный режим работы транзистора в ГВВ
- •Перенапряженный режим работы транзистора в ГВВ
- •Классификация режимов работы УМ по напряженности
- •Энергетические характеристики ГВВ
- •Зависимость тока коллектора и напряжения на нагрузке каскада от сопротивления нагрузки
- •Зависимость энергетических характеристик ГВВ от сопротивления нагрузки
- •Зависимость КПД ГВВ от величины сопротивления нагрузки
- •Основные задачи при проектировании усилителей мощности
- •Функциональная схема усилителя мощности
- •Эквивалентная схема усилителя мощности с учетом действия обратных связей в ЭП
- •Типовая схема усилителя мощности ВЧ на ПТ
- •Типовая схема усилителя мощности высокой частоты
- •Усилитель с нулевым напряжением смещения
- •Работа ГВВ с углом отсечки меньше 90°
- •Последовательная схема питания лампового ГВВ
- •Параллельная схема питания лампового ГВВ
- •Цепи питания маломощных транзисторных ГВВ
- •Цепи питания мощных ВЧ транзисторных ГВВ
- •Зависимость амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей тока коллектора от амплитуды возбуждения
- •Зависимости амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей тока коллектора от напряжения смещения безынерционного
- •Зависимости амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей тока коллектора, постоянной составляющей тока базы
- •Влияние температуры на проходные характеристики и статический коэффициент передачи тока транзистора
- •Зависимости амплитуды первой гармоники и постоянной составляющей коллекторного тока от температуры транзистора
- •Схема с эмиттерной стабилизацией
- •Цепи смещения с температурной стабилизацией с терморезистором
- •Цепи смещения с температурной стабилизацией с диодом
- •Схемы активной коллекторной стабилизации
- •Схемы стабилизации напряжения базового смещения
Генераторы с внешним возбуждением

Генератор с внешним возбуждением (ГВВ)

Мощный тиристор

Многолучевой клистрод (IOT – Inductive Output Tube)
Высокоэффективный многолучевой телевизионный клистрод с воздушным охлаждением, электромагнитной фокусировкой и тремя встроенными двухзазорными резонаторами. Предназначен для усиления телевизионных сигналов в диапазоне частот 470-790 МГц, перекрываемых несколькими литерами. Получение высоких значений КПД достигается благодаря использованию дополнительного, индуктивно настроенного резонатора, расположенного в том месте, где в обычном клистроде располагается выходной резонатор. Прибор отличается от обычного клистрода высоким коэффициентом усиления, что достигается применением во входной резонансной системе двухзазорного резонатора, в состав которого входит катодный узел с четырьмя пространственно разнесенными катодами и управляющими сетками, расположенными на одном радиусе относительно оси.
Основные параметры УМ
Основные параметры
Выходная мощность PвыхЧастота (средняя) f0
Коэффициент полезного действия η = Pвых / P0Полоса пропускания f
Коэффициент усиления К = Pвых / Pвх
Уровень побочного излучения на выходе L = 10 lg(Pпоб / P вых)
Основные характеристики
Амплитудная характеристика АХАмплитудночастотная характеристика АЧХАмплитуднофазовая характеристика АФХФазочастотная характеристика ФЧХХарактеристика группового времени запаздывания

Статические проходные характеристики
для лампы ГУ-17(а), биполярного транзистора КТ803А (б) и полевого транзистора с изолированным затвором КП301Б (в)

Статические выходные характеристики
для лампы ГУ-17(а), биполярного транзистора КТ803А (б) и полевого транзистора КП301Б (в)

Аппроксимация статических характеристик обобщенных АЭ

Аппроксимация статических характеристик (БПТ)
Эквивалентные параметры
S i |
/ e , при ек=const |
к |
бэ |
Еб0=E´
S |
гр |
i |
/ e |
1/ r , при ебэ=const |
|
к |
к |
нас |