- •Реферат
- •Методы выращивания монокристаллов карбида кремния (SiC)
- •Содержание
- •Глава 1. Методы выращивания монокристаллов карбида кремния.............................................................................................................4
- •Глава 2. Метод лэти................................................................................11
- •Введение
- •Глава 1. Методы выращивания монокристаллов карбида кремния
- •1.1. Метод Ачесона
- •1.2. Высокотемпературный синтез
- •1.3. Плазмодинамический (плазмохимический) метод и микроволновое спекание
- •1.4. Метод Лели
- •Глава 2. Метод лэти
- •2.1. Первые результаты
- •2.2. Получение монокристаллов карбида кремния
- •2.3. Установка для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (SiC)
- •2.3.1. Внутреннее устройство установки
- •2.3.2. Характеристики и примеры
- •Заключение
Заключение
В заключение, монокристаллы карбида кремния (SiC) представляют собой сложный элемент. Однако очень важный и много, где необходимый материал в самых разных сферах инженерии.
Сейчас существует множество методов и способов создания и выращивания карбида кремния (SiC). Каждый из них имеет свои особенности и недостатки, почти все из них сложны и энерго затратны. Проблемы, с которыми сталкиваются инженеры серьезны и нуждаются в специальном подходе. С прошлого века, умы мира создают и изобретают все новые и новые методы для решения этих задач.
Особого внимания достоин модифицированный метод Лели или метод ЛЭТИ. Ведь методом Лели создается самый чистый карбид кремния, однако именно его модифицированная версия позволяет использовать данный метод в промышленных масштабах.
Сегодня, спустя 80 лет, эти технологии продолжают активно применяться, совершенствоваться и охватывать все большие отрасли. Оригинальные идеи отечественных ученых, исследователей и конструкторов, которые уже на протяжении семи десятилетий ведут непрерывную работу в этой сфере, создают конкуренцию ведущим мировым производителям.
Список используемой литературы
Коллектив кафедры микро- и наноэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина) Физика и технология микро- и наносистем: Сб. научн. трудов / под общ. ред. В. В. Лучинина; СПб.: Русская коллекция, 2011. 240 с
Коллектив авторов Физика и технология микро- и наносистем. С. 57-59.
Авров, Д. Д. Технология материалов микроэлектроники: от минерального сырья к монокристаллу / Д. Д. Авров, О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева, Ю. М. Таиров, А. Ю. Фадеев Технология материалов микроэлектроники: от минерального сырья к монокристаллу: учеб. пособие. СПб. : Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2017. – 146 с.
Д. Д. Авров, О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева, Ю. М. Таиров, А. Ю. Фадеев Технология материалов микроэлектроники. С. 22-28.
Никитин, Д. С. Плазмодинамический синтез и получение ультрадисперсного карбида кремния / Д. С. Никитин Плазмодинамический синтез и получение ультрадисперсного карбида кремния: выпускная квалификационная работа. Томск. : изд. НИ ТПУ, 2012. – 101 с.
Д. С. Никитин Плазмодинамический синтез и получение ультрадисперсного карбида кремния. С. 16-37.
Ремпель, А.А. Нанотехнологии, свойства и применение наноструктурированных материалов // Успехи химии. – 2007. – Вып. 76 (5). – C. 474-500.
Краштов Евгений, Экштейн Роберт, Машали Али, “Эволюция в создании карбида кремния — революционного полупроводника”, научная статья.
Электронный журнал “Силовая электроника”: официальный сайт. – URL: https://power-e.ru/sic/evolyucziya/ (дата обращения 24.05.2024)
ООО “КОНТРОЛ СИСТЕМС”: официальный сайт. – URL: https://sector-systems.ru/# (дата обращения 25.05.2024)
“PAM-XIAMEN's Company Profile and Products”: официальный сайт. – URL: https://www.powerwaywafer.com/ru/silicon-carbide-crystal-growth.html (дата обращения 24.05.2024)
Российская Академия Наук: официальный сайт. – URL: https://new.ras.ru/activities/news/vpervye-v-rf-sozdana-tekhnologiya-proizvodstva-glavnogo-materiala-dlya-mikroelektroniki-budushchego/ (дата обращения 26.05.2024)