Министерство
образования и науки РФ
Федеральное
государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
«Национальный
исследовательский университет «МЭИ»
Институт
радиотехники и электроники им. В. А.
Котельникова
Реферат
на
тему:
Методы выращивания монокристаллов карбида кремния (SiC)
Выполнил
студент
1-го
курса гр. ЭР-01-23
Шмариович
В. М. __________
Проверил
Холодный
Д. С. ____________
Москва
2024
Содержание
Введение...........................................................................................................3
Глава 1. Методы выращивания монокристаллов карбида кремния.............................................................................................................4
1.1.
Метод
Ачесона.............................................................................4
1.2.
Высокотемпературный
синтез....................................................7
1.3.
Плазмодинамический (плазмохимический)
метод и микроволновое
спекание....................................................................9
1.4.
Метод
Лели...................................................................................9
Глава 2. Метод лэти................................................................................11
2.1.
Первые
результаты.....................................................................11
2.2.
Получение монокристаллов
карбида кремния....................12
2.3.
Установка для выращивания объемных
монокристаллов карбида кремния
(SiC)......................................................................13
2.3.1.
Внутреннее устройство
установки................................13
2.3.2.
Характеристики и
примеры...........................................15
Заключение....................................................................................................17
Список
используемой
литературы......................................................18
Введение
Монокристаллы
карбида кремния (SiC) представляют собой
ключевой и важный материал, широко
используемый в различных отраслях
современной технологии, таких как
электроника, энергетика, авиация и
другие, из-за их уникальных свойств –
высокая термостойкость, химическая
инертность и электронные характеристики.
Процесс
выращивания монокристаллов SiC является
сложным и требует применения специальных
технологий. Существуют различные методы
выращивания монокристаллов карбида
кремния: метод Ачесона, Лели, ЛЭТИ,
высокотемпературный синтез, плазмохимический
метод, золь-гель способ. Каждый из этих
методов имеет свои особенности, позволяя
получать монокристаллы SiC с определенными
характеристиками. Постоянные исследования
и разработки в этой области направлены
на улучшение процессов выращивания
монокристаллов SiC с целью расширения
их применения в различных технологических
сферах.
Как
утверждается в сборнике [1], наиболее
распространенным методом синтеза
является метод сублимации. Он применяется
как для получения абразивного материала,
так и для выращивания монокристаллов,
предназначенных для полупроводниковой
электроники. Метод основан на переносе
материала от горячего источника к
затравке, находящейся при более низкой
температуре.
