Министерство образования и науки РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова

Реферат

на тему:

Методы выращивания монокристаллов карбида кремния (SiC)

Выполнил студент

1-го курса гр. ЭР-01-23

Шмариович В. М. __________

Проверил

Холодный Д. С. ____________

Москва 2024

Содержание

Введение...........................................................................................................3

Глава 1. Методы выращивания монокристаллов карбида кремния.............................................................................................................4

1.1. Метод Ачесона.............................................................................4

1.2. Высокотемпературный синтез....................................................7

1.3. Плазмодинамический (плазмохимический) метод и микроволновое спекание....................................................................9

1.4. Метод Лели...................................................................................9

Глава 2. Метод лэти................................................................................11

2.1. Первые результаты.....................................................................11

2.2. Получение монокристаллов карбида кремния....................12

2.3. Установка для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (SiC)......................................................................13

2.3.1. Внутреннее устройство установки................................13

2.3.2. Характеристики и примеры...........................................15

Заключение....................................................................................................17

Список используемой литературы......................................................18

Введение

Монокристаллы карбида кремния (SiC) представляют собой ключевой и важный материал, широко используемый в различных отраслях современной технологии, таких как электроника, энергетика, авиация и другие, из-за их уникальных свойств – высокая термостойкость, химическая инертность и электронные характеристики.

Процесс выращивания монокристаллов SiC является сложным и требует применения специальных технологий. Существуют различные методы выращивания монокристаллов карбида кремния: метод Ачесона, Лели, ЛЭТИ, высокотемпературный синтез, плазмохимический метод, золь-гель способ. Каждый из этих методов имеет свои особенности, позволяя получать монокристаллы SiC с определенными характеристиками. Постоянные исследования и разработки в этой области направлены на улучшение процессов выращивания монокристаллов SiC с целью расширения их применения в различных технологических сферах.

Как утверждается в сборнике [1], наиболее распространенным методом синтеза является метод сублимации. Он применяется как для получения абразивного материала, так и для выращивания монокристаллов, предназначенных для полупроводниковой электроники. Метод основан на переносе материала от горячего источника к затравке, находящейся при более низкой температуре.