
- •Собственные и примесные полупроводники – структура, энергетические диаграммы и концентрация носителей
- •Процессы переноса заряда в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход – образование p-n-перехода, распределение концентрации носителей заряда,
- •Процессы в электронно-дырочном переходе при прямом напряжении, энергетическая диаграмма
- •Процессы в электронно-дырочном переходу при обратном напряжении, энергетическая диаграмма
- •Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Температурные и емкостные свойства перехода
- •Пробой p-n-перехода – лавинный, туннельный и тепловой
- •Полупроводниковые выпрямительные диоды – устройство, принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры
- •Полупроводниковые стабилитроны – устройство, принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры
- •Полупроводниковые варикапы - устройство, принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры
- •Полупроводниковые обращенные и полупроводниковые туннельные диоды - устройство, принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры
- •Импульсные диоды - устройство, принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры
Импульсные диоды - устройство, принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры
Устройство
Импульсный диод – это диод с малой длительностью переходных процессов, предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
Принцип действия
По принципу действия импульсный диод практически не отличается от самого простого – выпрямительного полупроводникового диода с p-n-переходом, при приложении прямого напряжения диод хорошо проводит электрический ток. Он точно так же открывается при подаче прямого смещения и закрывается поле смены полярности входящего сигнала, но он не запирается сразу же после приложения обратной разности потенциалов, а в течение некоторого времени (тысячные доли секунды) остается открытым, закрываясь с некоторой задержкой
Особенности применения
Применяют в быстродействующих импульсных, а также ключевых схемах, в формирователях наносекундных импульсов, для выпрямления токов, детектирования и модуляции сигналов с частотой до нескольких сотен МГц.
Параметры
ёмкость;
максимальное импульсное прямое напряжение;
максимальный импульсный прямой ток;
время восстановления обратного сопротивления.