
- •Технологические процессы изготовления сбис
- •Тенденции развития интегральных микросхем и их моделирование
- •Разработка завершается:
- •2. Окисление
- •2.1. Диэлектрические плёнки в технологии имс
- •2.2. Способы получения диэлектрических плёнок
- •2.3. Модель термического окисления Дила–Гроува
- •2.4. Влияние технологических факторов на скорость термического окисления кремния
- •2.5. Перераспределение легирующих примесей при термическом окислении кремния
- •В системе Si/SiO2
- •2.6. Уравнение диффузии при термическом окислении
- •2.7. Равновесная и неравновесная сегрегация примесей
- •2.8. Влияние термического окисления на скорость диффузии
- •2.9. Диффузия в неравновесных условиях по собственным точечным дефектам
- •3. Ионная имплантация
- •3.1. Ионная имплантация в технологии имс
- •3.2. Распределение энергетических потерь и ионов по глубине
- •3.3. Каналирование ионов
- •3.4. Ионная имплантация через маску
- •3.5. Распределение примеси в двухслойной мишени
- •3.6. Распределение концентрации при локальной ии
- •3.7. Ионное распыление
- •3.8. Радиационные дефекты и аморфизация
- •3.9. Электрическая активация примеси
- •3.10. Диффузия примеси из имплантированного слоя
- •3.11. Образование протяженных структурных дефектов
- •3.12. Качество имплантированных p–n-переходов и транзисторов
- •4. Эпитаксия
- •4.1. Эпитаксия в технологии имс
- •4.2. Эпитаксия кремния
- •4.3. Легирование эпитаксиальных слоёв
- •4.4. Автолегирование
- •4.5. Распределение примесей при эпитаксии
- •4.6. Деформации и напряжения в эпитаксиальных слоях
- •4.7. Дефекты эпитаксиального слоя
- •5. Диффузия
- •5.1. Диффузия в технологии имс
- •5.2. Технологические методы проведения диффузии
- •5.3. Характеристики основных легирующих примесей
- •5.4. Уравнение диффузии и его общие решения
- •5.5. Частные решения уравнения диффузии
- •5.6. Концентрационная зависимость коэффициента диффузии
- •5.7. Влияние дефектов на диффузию
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Технологические процессы изготовления сбис
- •197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
2.7. Равновесная и неравновесная сегрегация примесей
При больших скоростях окисления условие термодинамически равновесной сегрегации может нарушаться из-за кинетического захвата примеси растущей плёнкой диоксида кремния. В этом случае изменение количества примеси в прокисленном слое кремния связано с сегрегационным потоком js следующим образом:
dQ – dQox = jsdt,
js = h(Cox – C/ms),
где h – коэффициент переноса. В этом случае из условия
получаем выражение для эффективного коэффициента сегрегации
Значение эффективного
коэффициента сегрегации mef,
в отличие от термодинамически равновесного
ms,
зависит от скорости окисления
(рис. 2.6). Как видно из рисунка, при малых
скоростях окисления Uox
<< h
с
егрегация
равновесна, mef
ms,
при больших скоростях окисления Uox
>> h
имеет место кинетический захват, mef
.
В области средних скоростей окисления
Uox
h
сегрегация нерав-новесна. Неравновесная
сегрегация р
еализуется
при невысоких (не более 900 oC)
температурах термического окисления
во влажном кислороде, а также при
окислении под давлением.
2.8. Влияние термического окисления на скорость диффузии
При сравнении глубин диффузии под плёнкой нитрида кремния и под растущей в окислительной среде плёнкой диоксида кремния было обнаружено, что диффузия одних примесей ускорена (B, P, Al, In, Ga) – диффузия, ускоренная окислением (ДУО), а диффузия других примесей замедлена (Sb) – диффузия, замедленная окислением (ДЗО). Коэффициент диффузии в условиях термического окисления может быть представлен в виде
Dox = D Dox,
где D – коэффициент диффузии при неокисляющих условиях; Dox – изменение коэффициента диффузии под действием окисления. Было установлено, что величина Dox зависит от скорости окисления по степенному закону Dox ~ (Uox)n, где показатель степени n = 0.4…0.6.
Относительная величина Dox/D уменьшается с ростом температуры окисления и падает с увеличением уровня легирования.
Кроме влияния на
скорость диффузии, термическое окисление
оказывало влияние на рост окислительных
дефектов упаковки (ОДУ). Причём скорость
роста ОДУ зависела от скорости окисления
по такому же степенному закону
,
где показатель степени m
0.4. Рост ОДУ, которые имеют тип внедрения,
может происходить только за счёт
поглощения собственных междоузельных
атомов (СМА), т. е. в твёрдофаз-ной реакции
термического окисления помимо диоксида
кремния происходит образование
(генерация) избыточных СМА (I):
Si + O2 SiO2 + I;
Si + 2H2O SiO2 + 2H2 + I,
где и – коэффициенты, показывающие сколько СМА образуется в одном акте окисления.
Причиной генерации СМА является разница объёмов формульных единиц Si и SiO2. В результате окисления место одного атома кремния объёмом 20 А3 занимает молекула SiO2 объёмом 45 А3. При этом под действием напряжений сжатия некоторые из соседних узельных атомов кремния вытесняются в междоузлия, становясь собственными междоузельными атомами. Последние и являются причиной либо ДУО, либо ДЗО.