Добавил:
Way_J
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Александров, 9 семестр, вечерка / Курсовой расчет / Варианты одногруппников / Александров / Uch_pos_2015.doc
X
- •Технологические процессы изготовления сбис
- •Тенденции развития интегральных микросхем и их моделирование
- •Разработка завершается:
- •2. Окисление
- •2.1. Диэлектрические плёнки в технологии имс
- •2.2. Способы получения диэлектрических плёнок
- •2.3. Модель термического окисления Дила–Гроува
- •2.4. Влияние технологических факторов на скорость термического окисления кремния
- •2.5. Перераспределение легирующих примесей при термическом окислении кремния
- •В системе Si/SiO2
- •2.6. Уравнение диффузии при термическом окислении
- •2.7. Равновесная и неравновесная сегрегация примесей
- •2.8. Влияние термического окисления на скорость диффузии
- •2.9. Диффузия в неравновесных условиях по собственным точечным дефектам
- •3. Ионная имплантация
- •3.1. Ионная имплантация в технологии имс
- •3.2. Распределение энергетических потерь и ионов по глубине
- •3.3. Каналирование ионов
- •3.4. Ионная имплантация через маску
- •3.5. Распределение примеси в двухслойной мишени
- •3.6. Распределение концентрации при локальной ии
- •3.7. Ионное распыление
- •3.8. Радиационные дефекты и аморфизация
- •3.9. Электрическая активация примеси
- •3.10. Диффузия примеси из имплантированного слоя
- •3.11. Образование протяженных структурных дефектов
- •3.12. Качество имплантированных p–n-переходов и транзисторов
- •4. Эпитаксия
- •4.1. Эпитаксия в технологии имс
- •4.2. Эпитаксия кремния
- •4.3. Легирование эпитаксиальных слоёв
- •4.4. Автолегирование
- •4.5. Распределение примесей при эпитаксии
- •4.6. Деформации и напряжения в эпитаксиальных слоях
- •4.7. Дефекты эпитаксиального слоя
- •5. Диффузия
- •5.1. Диффузия в технологии имс
- •5.2. Технологические методы проведения диффузии
- •5.3. Характеристики основных легирующих примесей
- •5.4. Уравнение диффузии и его общие решения
- •5.5. Частные решения уравнения диффузии
- •5.6. Концентрационная зависимость коэффициента диффузии
- •5.7. Влияние дефектов на диффузию
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Технологические процессы изготовления сбис
- •197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
Технологические процессы изготовления сбис
Учебное пособие
Редактор И. Г. Скачек
___________________________________________________________
Подписано в печать Формат 60х84 1/16. Бумага офсетная.
Печать офсетная. Печ. л. 3,5.
Тираж 75 экз. Заказ
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
Соседние файлы в папке Александров