Александров, 9 семестр, вечерка / Курсовой расчет / Варианты одногруппников / Александров / RK_39_23

Вопросы рейтингого контроля (СВТП ИМС)

1. Диэлектрические пленки в технологии ИМС. Их назначение и свойства. Способы получения диэлектрических плёнок.

2. Модель термического окисления Дила-Гроува.

3. Влияние температуры, среды, давления паров окислителя и уровня легирования подложки на скорость термического окисления.

4. Сегрегация примесей на границе SiO₂-Si. Равновесный коэффициент сегрегации.

5. Влияние термического окисления на скорость диффузии легирующих примесей.

6. Дуальный механизм диффузии легирующих примесей в кремнии.

7. Диффузия в технологии ИМС. Технологические методы проведения диффузии.

8. Уравнение диффузии (УД) и его общие решения при D=const.

9. Решение УД при диффузии из неограниченного источника (Сs=const) и из ограниченного (Q=const) источника.

10. Решение УД при 2-х стадийной, 2-х и многоэтапной диффузии при D=const.

11. Концентрационная зависимость коэффициента диффузии.

12. Имплантация (ИИ) в технологии ИМС. Достоинства и недостатки ИИ.

13. Распределение энергетических потерь и ионов при ИИ в теории ЛШШ.

14. Каналирование ионов. Меры по предотвращению каналирования.

15. Диффузия примеси из ИИ слоев.

16. Изоляция элементов ИМС.