8. Параметры концентрационной зависимости подвижности носителей заряда в кремнии [19]

Тип проводимости	Параметр
	Mmin, см2/(В с)	Mmax, см2/(В · с)	Cr, см–3	a
n–Si	65	1330	8.5 · 1016	0.72
p–Si	47.7	495	6.3 · 1016	0.76

Содержание

Предисловие 3

1. Задание на курсовую работу и исходные данные 3

2. Требования к оформлению и содержанию курсовой работы 4

3. Последовательность выполнения курсовой работы 4

3.1. Выбор электрической схемы фрагмента ИМС 4

3.2. Топологический чертеж и поперечное сечение кристалла 5

3.3. Разработка технологического маршрута 5

3.4. Моделирование операций технологического маршрута 5

3.5. Заключение курсовой работы 6

4. Структура биполярных и МОП ИМС 6

4.1. Биполярный планарно-эпитаксиальный транзистор 6

4.2. Биполярная ИМС с изоляцией p–n-переходом 7

4.3. Изопланарная биполярная ИМС 7

4.4. МОП ИМС с металлическим затвором 8

4.5. МОП ИМС с поликремниевым затвором 8

4.6. LOCOS МОП ИМС 9

4.7. КМОП ИМС 9

4.8. ДМОП ИМС 9

5. Моделирование процессов технологии ИМС 10

5.1. Ионная имплантация 10

5.2. Ионная имплантация через пленку 11

5.3. Концентрация носителей заряда в сильнолегированных слоях 12

5.4. Термическое окисление 13

5.5. Перераспределение примесей при термическом окислении 16

5.6. Решения уравнения диффузии при D = const 18

5.7. Диффузионная загонка 20

5.8. Диффузионная разгонка 21

5.9. Совместная диффузия легирующих примесей 22

5.10. Расчет положения p–n-перехода и слоевого сопротивления 23

Список литературы 24

Приложения 26

Редактор Т. А. Лунаева

Подписано в печать 10.06.2014. Формат 6084 1/16.

Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 1.75.

Гарнитура «Times New Roman». Тираж 37 экз. Заказ .

Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

1 97376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5

30