
- •Технологическое моделирование фрагмента имс
- •1. Задание на курсовую работу и исходные данные
- •2. Требования к оформлению и содержанию курсовой работы
- •3. Последовательность выполнения курсовой работы
- •3.1. Выбор электрической схемы фрагмента имс
- •3.2. Топологический чертеж и поперечное сечение кристалла
- •3.3. Разработка технологического маршрута
- •3.4. Моделирование операций технологического маршрута
- •3.5. Заключение курсовой работы
- •4. Структуры биполярных и моп имс
- •4.1. Биполярный планарно-эпитаксиальный транзистор
- •4.2. Биполярная имс с изоляцией p–n-переходом
- •4.3. Изопланарная биполярная имс
- •4.4. Моп имс с металлическим затвором
- •4.5. Моп имс с поликремниевым затвором
- •4.7. Кмоп имс
- •4.8. Дмоп имс
- •5. Моделирование процессов технологии имс
- •5.1. Ионная имплантация
- •5.2. Ионная имплантация через пленку
- •5.3. Концентрация носителей заряда в сильнолегированных слоях
- •5.4. Термическое окисление
- •5.5. Перераспределение примесей при термическом окислении
- •5.7. Диффузионная загонка
- •5.8. Диффузионная разгонка
- •5.9. Совместная диффузия легирующих примесей
- •5.10. Расчет положения p–n-перехода и слоевого сопротивления
- •Список литературы
- •1. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в Si [9]
- •2. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в SiO2 [9]
- •3. Предельные растворимости легирующих примесей в кремнии, см–3 [6]
- •4. Параметры температурной зависимости констант скорости термического окисления кремния ориентации (111) [6]
- •5. Коэффициенты сегрегации легирующих примесей в системе SiO2–Si(111)
- •6. Параметры температурной зависимости коэффициентов испарения и диффузии легирующих примесей в кремнии
- •7. Параметры парциальных коэффициентов диффузии основных легирующих примесей в кремнии [6], [23]
- •8. Параметры концентрационной зависимости подвижности носителей заряда в кремнии [19]
- •Содержание
- •1 97376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
3. Предельные растворимости легирующих примесей в кремнии, см–3 [6]
Примесь |
Температура, °C |
|||||
800 |
900 |
1000 |
1100 |
1200 |
1300 |
|
B |
3.0 · 1020 |
3.5 · 1020 |
4.0 · 1020 |
5.0 · 1020 |
5.5 · 1020 |
6.0 · 1020 |
P |
3.1 · 1020 |
6.5 · 1020 |
1.0 · 1021 |
1.4 · 1021 |
1.5 · 1021 |
1.2 · 1021 |
As |
1.0 · 1021 |
1.3 · 1021 |
1.5 · 1021 |
2.0 · 1021 |
2.0 · 1021 |
1.7 · 1021 |
Sb |
2.5 · 1019 |
3.0 · 1019 |
4.0 · 1019 |
5.0 · 1019 |
6.0 · 1019 |
7.0 · 1019 |
Al |
1.2 · 1019 |
1.5 · 1019 |
1.8 · 1019 |
2.0 · 1019 |
2.1 · 1019 |
1.7 · 1019 |
4. Параметры температурной зависимости констант скорости термического окисления кремния ориентации (111) [6]
Окислитель |
Линейное окисление |
Параболическое окисление |
||
Kl0, мкм/мин |
El, эВ |
Kp0, мкм2/мин |
Ep, эВ |
|
Сухой О2 |
4.4·105 |
2.16 |
9.5 |
1.20 |
Пар Н2О |
9.7·105 |
1.93 |
2.7 |
0.69 |
5. Коэффициенты сегрегации легирующих примесей в системе SiO2–Si(111)
Примесь |
Сухой кислород |
Влажный кислород |
Источник |
B |
0.075 ехр (0.33/kT) |
0.015 ехр (0.66/kT) |
[20] |
P |
4.35 ехр (–0.60/kT) |
3.2·10–5 ехр (0.73/kT) |
[21] |
As |
1.2 · 10–3 |
[22] |
|
Sb |
3.6 · 10–3 |
[21] |
6. Параметры температурной зависимости коэффициентов испарения и диффузии легирующих примесей в кремнии
Примесь |
Коэффициент испарения |
Коэффициент диффузии |
Источник |
||
S0, см/с |
E, эВ |
D0, см2/с |
E, эВ |
||
B |
1.43 · 103 |
3.53 |
2.48 |
3.59 |
[24] |
P |
3.05 · 104 |
3.87 |
20.23 |
3.87 |
[25] |
Sb |
6 · 105 |
3.7 |
10 |
3.95 |
[26] |
Ga |
3 · 103 |
2.8 |
1.5 · 10–2 |
2.9 |
[25] |
7. Параметры парциальных коэффициентов диффузии основных легирующих примесей в кремнии [6], [23]
Примесь |
Параметр |
|||||||
|
E0, эВ |
|
E+, эВ |
|
E–, эВ |
|
E=, эВ |
|
B |
0.037 |
3.46 |
0.72 |
3.46 |
– |
– |
– |
– |
P |
3.84 |
3.66 |
– |
– |
4.44 |
4.0 |
44.2 |
4.37 |
As |
0.66 |
3.44 |
– |
– |
12 |
4.05 |
– |
– |
Sb |
0.214 |
3.65 |
– |
– |
15 |
4.08 |
– |
– |