- •Технологическое моделирование фрагмента имс
- •1. Задание на курсовую работу и исходные данные
- •2. Требования к оформлению и содержанию курсовой работы
- •3. Последовательность выполнения курсовой работы
- •3.1. Выбор электрической схемы фрагмента имс
- •3.2. Топологический чертеж и поперечное сечение кристалла
- •3.3. Разработка технологического маршрута
- •3.4. Моделирование операций технологического маршрута
- •3.5. Заключение курсовой работы
- •4. Структуры биполярных и моп имс
- •4.1. Биполярный планарно-эпитаксиальный транзистор
- •4.2. Биполярная имс с изоляцией p–n-переходом
- •4.3. Изопланарная биполярная имс
- •4.4. Моп имс с металлическим затвором
- •4.5. Моп имс с поликремниевым затвором
- •4.7. Кмоп имс
- •4.8. Дмоп имс
- •5. Моделирование процессов технологии имс
- •5.1. Ионная имплантация
- •5.2. Ионная имплантация через пленку
- •5.3. Концентрация носителей заряда в сильнолегированных слоях
- •5.4. Термическое окисление
- •5.5. Перераспределение примесей при термическом окислении
- •5.7. Диффузионная загонка
- •5.8. Диффузионная разгонка
- •5.9. Совместная диффузия легирующих примесей
- •5.10. Расчет положения p–n-перехода и слоевого сопротивления
- •Список литературы
- •1. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в Si [9]
- •2. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в SiO2 [9]
- •3. Предельные растворимости легирующих примесей в кремнии, см–3 [6]
- •4. Параметры температурной зависимости констант скорости термического окисления кремния ориентации (111) [6]
- •5. Коэффициенты сегрегации легирующих примесей в системе SiO2–Si(111)
- •6. Параметры температурной зависимости коэффициентов испарения и диффузии легирующих примесей в кремнии
- •7. Параметры парциальных коэффициентов диффузии основных легирующих примесей в кремнии [6], [23]
- •8. Параметры концентрационной зависимости подвижности носителей заряда в кремнии [19]
- •Содержание
- •1 97376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
1. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в Si [9]
E, кэВ |
Ион |
|||||||||||
B |
P |
As |
Sb |
|||||||||
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
|
40 |
1285 |
456 |
–0.71 |
489 |
214 |
0.23 |
298 |
109 |
0.47 |
289 |
86 |
0.46 |
60 |
1880 |
573 |
–0.89 |
731 |
300 |
0.12 |
402 |
145 |
0.42 |
370 |
110 |
0.44 |
80 |
2438 |
662 |
–1.11 |
982 |
380 |
0.03 |
505 |
180 |
0.38 |
445 |
132 |
0.43 |
100 |
2964 |
733 |
–1.26 |
1283 |
457 |
0.05 |
608 |
214 |
0.35 |
517 |
153 |
0.41 |
120 |
3463 |
792 |
–1.38 |
1498 |
529 |
0.12 |
712 |
248 |
0.31 |
588 |
174 |
0.40 |
140 |
3938 |
842 |
–1.50 |
1761 |
597 |
0.19 |
817 |
281 |
0.28 |
658 |
194 |
0.38 |
2. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в SiO2 [9]
E, кэВ |
Ион |
|||||||||||
B |
P |
As |
Sb |
|||||||||
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
Rp, Å |
ΔRp, Å |
SK |
|
40 |
1078 |
333 |
–0.75 |
391 |
154 |
0.18 |
242 |
78 |
0.40 |
236 |
62 |
0.38 |
60 |
1574 |
417 |
–0.98 |
587 |
216 |
0.06 |
327 |
104 |
0.36 |
303 |
79 |
0.37 |
80 |
2035 |
476 |
–1.17 |
791 |
275 |
–0.04 |
412 |
130 |
0.32 |
365 |
95 |
0.35 |
100 |
2476 |
529 |
–1.32 |
998 |
331 |
–0.12 |
497 |
155 |
0.28 |
426 |
111 |
0.34 |
120 |
2875 |
569 |
–1.45 |
1209 |
383 |
–0.20 |
582 |
180 |
0.25 |
485 |
126 |
0.33 |
140 |
3262 |
603 |
–1.58 |
1420 |
432 |
–0.26 |
669 |
205 |
0.22 |
543 |
141 |
0.31 |