
- •Технологическое моделирование фрагмента имс
- •1. Задание на курсовую работу и исходные данные
- •2. Требования к оформлению и содержанию курсовой работы
- •3. Последовательность выполнения курсовой работы
- •3.1. Выбор электрической схемы фрагмента имс
- •3.2. Топологический чертеж и поперечное сечение кристалла
- •3.3. Разработка технологического маршрута
- •3.4. Моделирование операций технологического маршрута
- •3.5. Заключение курсовой работы
- •4. Структуры биполярных и моп имс
- •4.1. Биполярный планарно-эпитаксиальный транзистор
- •4.2. Биполярная имс с изоляцией p–n-переходом
- •4.3. Изопланарная биполярная имс
- •4.4. Моп имс с металлическим затвором
- •4.5. Моп имс с поликремниевым затвором
- •4.7. Кмоп имс
- •4.8. Дмоп имс
- •5. Моделирование процессов технологии имс
- •5.1. Ионная имплантация
- •5.2. Ионная имплантация через пленку
- •5.3. Концентрация носителей заряда в сильнолегированных слоях
- •5.4. Термическое окисление
- •5.5. Перераспределение примесей при термическом окислении
- •5.7. Диффузионная загонка
- •5.8. Диффузионная разгонка
- •5.9. Совместная диффузия легирующих примесей
- •5.10. Расчет положения p–n-перехода и слоевого сопротивления
- •Список литературы
- •1. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в Si [9]
- •2. Параметры распределения Пирсона для ионов b, p, As, Sb в SiO2 [9]
- •3. Предельные растворимости легирующих примесей в кремнии, см–3 [6]
- •4. Параметры температурной зависимости констант скорости термического окисления кремния ориентации (111) [6]
- •5. Коэффициенты сегрегации легирующих примесей в системе SiO2–Si(111)
- •6. Параметры температурной зависимости коэффициентов испарения и диффузии легирующих примесей в кремнии
- •7. Параметры парциальных коэффициентов диффузии основных легирующих примесей в кремнии [6], [23]
- •8. Параметры концентрационной зависимости подвижности носителей заряда в кремнии [19]
- •Содержание
- •1 97376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Технологическое моделирование фрагмента имс
Методические указания к курсовой работе по дисциплине
«Специальные вопросы технологии интегральных микросхем»
Санкт-Петербург
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
2014
УДК 621.382.8
Технологическое моделирование фрагмента ИМС: метод. указания к курсовой работе по дисциплине «Специальные вопросы технологии интегральных микросхем» / сост. О. В. Александров. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014. 28 с.
Представлены краткие сведения по моделированию основных технологических процессов изготовления ИМС: термического окисления слабо- и сильнолегированных слоев, ионной имплантации в одно- и двухслойной системах, ионного и диффузионного легирования с низкой и высокой концентрациями примеси, совместной диффузии легирующих примесей.
Предназначены для студентов специальности 210105 «Электронные приборы и устройства» и направления 210100 «Электроника и наноэлектро-ника», обучающихся по дневной, очно-заочной (вечерней) и заочной формам обучения.
Утверждено редакционно-издательским советом университета в качестве методических указаний
©
СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014
ПРЕДИСЛОВИЕ
Курсовая работа имеет своей целью закрепление и углубление знаний, полученных в лекционном курсе и на практических занятиях по дисциплине «Специальные вопросы технологии интегральных микросхем». Выполнение курсовой работы способствует развитию у студентов навыков самостоятельного решения инженерных задач, связанных с разработкой, расчетом и моделированием технологических процессов изготовления интегральных микросхем (ИМС), работой с научно-технической и справочной литературой. При выполнении курсовой работы студенты должны использовать лекционный материал по данной дисциплине, разделы предшествующих курсу дисциплин: «Технология материалов и изделий электронной техники», «Приборы функциональной электроники», «Проектирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем», «Вычислительная математика», а также литературу, список которой приведен в данных методических указаниях.
1. Задание на курсовую работу и исходные данные
Курсовая работа выполняется в соответствии с индивидуальным заданием, максимально приближенным к современным разработкам ИМС. Задание предусматривает разработку, расчет и моделирование технологического процесса изготовления фрагмента ИМС – логического элемента.
Форма задания соответствует «Положению об организации курсового проектирования в институте» [1]. Индивидуальное задание включает: тему работы, исходные данные, содержание пояснительной записки и перечень графического материала; даты выдачи задания, контрольной проверки, представления и защиты выполненной курсовой работы.
Исходными данными для технологического моделирования фрагмента ИМС являются:
– тип логики/технологии логического элемента;
– логическая функция элемента;
– способ межэлементной изоляции;
– параметры подложки и/или эпитаксиального слоя;
– ключевые конструкторско-технологические параметры элементов;
– название моделируемых технологических процессов с указанием расчетных параметров.
Задание на курсовую работу выдается в течение первых двух недель, предусмотренных учебным графиком по данной дисциплине.