Скачиваний:
2
Добавлен:
01.07.2024
Размер:
787.97 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

–––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

–––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Технологическое моделирование фрагмента имс

Методические указания к курсовой работе по дисциплине

«Специальные вопросы технологии интегральных микросхем»

Санкт-Петербург

Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

2014

УДК 621.382.8

Технологическое моделирование фрагмента ИМС: метод. указания к курсовой работе по дисциплине «Специальные вопросы технологии интегральных микросхем» / сост. О. В. Александров. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014. 28 с.

Представлены краткие сведения по моделированию основных технологических процессов изготовления ИМС: термического окисления слабо- и сильнолегированных слоев, ионной имплантации в одно- и двухслойной системах, ионного и диффузионного легирования с низкой и высокой концентрациями примеси, совместной диффузии легирующих примесей.

Предназначены для студентов специальности 210105 «Электронные при­боры и устройства» и направления 210100 «Электроника и наноэлектро-ника», обучающихся по дневной, очно-заочной (вечерней) и заочной формам обучения.

Утверждено редакционно-издательским советом университета в качестве методических указаний

© СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014

ПРЕДИСЛОВИЕ

Курсовая работа имеет своей целью закрепление и углубление знаний, полученных в лекционном курсе и на практических занятиях по дисциплине «Специальные вопросы технологии интегральных микросхем». Выполнение курсовой работы способствует развитию у студентов навыков самостоятельного решения инженерных задач, связанных с разработкой, расчетом и моделированием технологических процессов изготовления интегральных микросхем (ИМС), работой с научно-технической и справочной литературой. При выполнении курсовой работы студенты должны использовать лекционный материал по данной дисциплине, разделы предшествующих курсу дисциплин: «Технология материалов и изделий электронной техники», «Приборы функциональной электроники», «Проектирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем», «Вычислительная математика», а также литературу, список которой приведен в данных методических указаниях.

1. Задание на курсовую работу и исходные данные

Курсовая работа выполняется в соответствии с индивидуальным заданием, максимально приближенным к современным разработкам ИМС. Задание предусматривает разработку, расчет и моделирование технологического процесса изготовления фрагмента ИМС – логического элемента.

Форма задания соответствует «Положению об организации курсового проектирования в институте» [1]. Индивидуальное задание включает: тему работы, исходные данные, содержание пояснительной записки и перечень графического материала; даты выдачи задания, контрольной проверки, представления и защиты выполненной курсовой работы.

Исходными данными для технологического моделирования фрагмента ИМС являются:

– тип логики/технологии логического элемента;

– логическая функция элемента;

– способ межэлементной изоляции;

– параметры подложки и/или эпитаксиального слоя;

– ключевые конструкторско-технологические параметры элементов;

– название моделируемых технологических процессов с указанием расчетных параметров.

Задание на курсовую работу выдается в течение первых двух недель, предусмотренных учебным графиком по данной дисциплине.

Соседние файлы в папке Александров