Параметры распределения ионов b, p, As, Sb в Si

E, кэВ	B		P			As				Sb
	Rp, Å	Rp, Å	Rp, Å		Rp, Å	Rp, Å			Rp, Å		Rp, Å	Rp, Å
40	1285	456	489		214	298			109		289	86
60	1880	573	731		300	402			145		370	110
80	2438	662	982		380	505			180		445	132
100	2964	733	1283	457			608	214			517	153
120	3463	792	1498	529			712	248			588	174

В результате проведения постимплантационных отжигов происходит диффузионное перераспределение имплантированной примеси и распределение примеси по глубине подложки примет вид

где D  коэффициент диффузии;  время диффузии.

В случае неглубокой имплантации и достаточно длительного высоко­температурного отжига, когда 2 >> R_p, последнее выражение переходит в известное выражение для диффузии из ограниченного источника (см. (2.2)). В этом случае для определения поверхностной концент­рации примеси в ионно-легированном слое можно воспользоваться соответствующими кривыми Ирвина (см. рис. 2.1). Выражение для сопротивления ионно-леги-рованного слоя R_s имеет вид

где e  заряд электрона; x_j  глубина залегания pn-перехода; n(x)  результирующая концентрация доноров или акцепторов;  подвижность носителей заряда. В общем случае необходимо учитывать зависимость подвижности от концентрации носителей заряда (n) в виде

(n) = _min + (_max  _min)/[1+(n/C_r)^a].

Параметры концентрационной зависимости подвижности приведены в табл. 3.2.

Таблица 3.2

Параметры концентрационной зависимости подвижности носителей заряда в кремнии

Тип проводимости	min, cм2/(В·с)	max, cм2/(В·с)	Cr, cм3	a
n-Si	65	1330	8,5·1016	0,72
p-Si	47,7	495	6,3·1016	0,76

Верхнюю оценку сопротивления ионнолегированого слоя R_smax можно получить, полагая (x) = (C_max) = _min, где C_max  максимальная концентрация примеси в имплантированном слое:

. (3.1)

В этом случае

. (3.2)

В области малых доз подвижность перестает зависеть от концентра­ции и формула (3.4) станет точной.