
- •Технология интегральных микросхем
- •Введение
- •Лабораторная работа 1 термическое окисление кремния
- •1.1. Общие сведения
- •Параметры температурной зависимости констант скорости термического окисления кремния ориентации (111)
- •1.2. Схема установки
- •1.3. Порядок выполнения работы
- •2.2. Порядок выполнения работы
- •2.3. Отчет о работе
- •2.4. Контрольные вопросы
- •Параметры распределения ионов b, p, As, Sb в Si
- •Параметры концентрационной зависимости подвижности носителей заряда в кремнии
- •3.2. Схема установки ионной имплантации
- •3.3. Порядок выполнения работы
- •3.4. Отчет о работе
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Параметры пленок диоксида кремния, полученных различными методами
- •4.2. Схема установки
- •4.3. Порядок выполнения работы
- •4.4. Отчет о работе
- •4.5. Контрольные вопросы
- •5.2. Порядок выполнения работы
- •5.3. Отчет о работе
- •5.4. Контрольные вопросы
- •Список рекомендуемой литературы
- •Содержание
- •197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
Список рекомендуемой литературы
Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1987. С. 194–269.
Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. М.: Радио и связь, 1991. С. 298 – 418.
Содержание
Введение......................................................................................................3
Лабораторная работа 1. Термическое окисление …………..………….3
Лабораторная работа 2. Диффузионное легирование.............................9
Лабораторная работа 3. Ионное легирование........................................15
Лабораторная работа 4. Плазмохимическое осаждение….…………...21
Лабораторная работа 5. Фотолитография..............................................26
Редактор И. Б. Синишева
Подписано в печать 25.03.13. Формат 60Х84 1/16.
Бумага офсетная. Печать офсетная. Печ. л. 2,25.
Гарнитура «Times New Roman». Тираж 45 экз. Заказ
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5