В обычных КМОП – микросхемах без изолирующего слоя диоксида кремния на компенсацию неэффективности электронов
затрачивается больше времени и электроэнергии.
На данном поперечном сечении SOI – микросхемы показан тонкий слой диоксида кремния, за счёт чего уменьшается ёмкость области между изменёнными участками кремния, и
она разряжается быстрее.
Преимущества КНИ приборов:
•Повышенная радиационная стойкость
•Повышение рабочей температуры приборов
•Повышение быстродействия
•Снижение энергопотребления
•Повышение интеграции интегральных схем
Недостатки КНИ структур:
•Эффект “плавающей” подложки
•Эффект “петли”
Эффект “петли”
Эффект “петли” вызывается воздействием ионизации
Методы формирования КНИ структур:
1.Кремний на сапфире (КНИ)
2.Метод реактивной ионной имплантации (SIMOX)
3.Термокомпрессионное соединение пластин с последующим уплотнением (BESOI)
4.Кристаллизация плёнок Si на электрических подложках
Кремний на сапфире
Силан 10000С
Кремний на сапфире
Недостатки:
•Плотность дефектов структуры в Si из-за отличия
решётки Si и сапфира
•Диаметр подложек
•Стоимость структур
