Усовершенствованные STI
•Не нужна имплантация защитного слоя для увеличения порогового значения.
•Канавки можно заполнить при помощи окисления O3
– Нужен отжиг при > 1000 C для повышения плотности пленки
•HDP оксид (на основе полиэтилена) не требует термического отжига
Усовершенствованные STI: Рост оксида и нитрида
Нитрид
p-Карман |
n-Карман |
p-Эпитаксия
p-Подложка
Усовершенствованные STI:
Маска для STI
Усовершенствованные STI: Травление нитрида, оксида, кремния Удаление фоторезиста
|
Нитрид |
p-Карман |
n-Карман |
p-Эпитаксия
p-Подложка
Усовершенствованные STI: HDP
CVD оксид
Оксид
Нитрид
p-Карман |
n-Карман |
p-Эпитаксия
p-Подложка
Усовершенствованные STI: ХМП оксида с остановкой на нитриде
|
Оксид |
Нитрид |
|
|
|
p-Карман |
|
n-Карман |
p-Эпитаксия
p-Подложка
Усовершенствованные STI: Удаление нитрида
p-Карман |
Оксид |
n-Карман |
|
p-Эпитаксия |
|
p-Подложка
p – n – p транзистор в мостиковом объёме кремния
а) схема |
б) поперечное сечение |
КНИ – кремний на изоляторе.
КНИ (SOI – silicon on insulator) – это технология изготовления микросхем, при которой транзисторы изолируются от подложки слоем диоксида кремния для повышения эффективности управления электронами.
В результате, по сравнению с обычной КМОП – технологией, повышается скорость работы микросхемы и снижается расход электроэнергии.
