Имплантация изоляции
Нитрид кремния
p+ p+ p+
p-Подложка
Термический отжиг
Нитрид кремния |
SiO2 |
p+ |
p+ |
p+ |
p-Подложка
Удаление нитрида
|
SiO2 |
|
p+ |
p+ |
p+ |
p-Подложка
Недостатки LOCOS
•Птичий клюв
–Кислород изотропно диффундирует в оксиде
–Рост оксида под нитридом
–Ухудшение поверхности
•Неровная поверхность
–Оксид растет выше кремниевой поверхности
–Мешает фотолитографии и осаждению тонких пленок
Птичий клюв на LOCOS
LOCOS |
Активная область |
LOCOS |
|
Птичий клюв
Активная область
Многослойный LOCOS(PBL)
•Ослабление “птичьего клюва”
•Осаждение поликремния перед нитридом
•Поли-Si поглощает боковую диффузию кислорода
•Уменьшает “птичий клюв” до 0.1 - 0.2 микрон
Многослойный LOCOS
Поликремний
Нитрид кремния
P-Подложка
Окисление, осаждение поли-Si и нитрида
Нитрид кремнияSiO2
p+
P-Подложка
Окисление
Поликремний
Нитрид кремния
p+
P-Подложка
Травление окисла, поли-Si и нитрида. Имплантация Бора
SiO2
p+
P-Подложка
Удаление окисла, поли-Si и нитрида.
Изоляция неглубокими канавками (STI)
•LOCOS и PBL хорошо работают, когда размер элемента > 0.5 мкм
•Невыполнимы для элементов < 0.35 мкм
•Травление кремния и окисление канавок ведут к уменьшению “вторжения” кислорода
•Процесс идет с осаждением CVD оксида в канавки
STI и LOCOS
•STI
–Нет птичьего клюва
–Более гладкая поверхность
–Более длительный процесс создания
•LOCOS
–Проще, дешевле, проверенная технология
–Используется для создания ИМС размером не более 0.35 мкм
STI и LOCOS
•Простые STI процессы
–Конечное травление оксида
–Травление CF4/O2
–Остановка Стоп-линией
•Усовершенствованные STI процессы: ХМП оксида
–Лучший контроль за процессом
–Выше объем выпуска