
Добавил:
Way_J
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Александров, 9 семестр, вечерка / Курсовой расчет / Варианты одногруппников / Александров / 12_101945_1_111313.ppt
X
- •ПРЕЗЕНТАЦИЯ ДИСЦИПЛИНЫ:
- •Раздел 1
- •Структура раздела
- •Особенности формирования скрытого слоя
- •Особенности формирования скрытого слоя
- •Метод изоляции разделительной диффузией
- •Этапы формирования структуры ИС
- •Метод изоляции локальным окислением. (LOCOS)
- •Поперечное сечение области изоляции.
- •Планаризация изолирующих областей
- •Транзистор с изоляцией локальным окислом
- •“Щелевая” изоляция
- •“Щелевая” изоляция
- •Схема возникновений механических напряжений в структуре со щелевой изоляцией при окислении поверхности подложки
- •Сечение области изоляции минимальной ширины:
- •Поперечное сечение транзистора с “квазиполной” изоляцией.
- •Изоляция
- •Покрывающий окисел
- •Формирование LOCOS
- •Очистка подложки
- •Рост Окисла
- •Выращивание нитрида
- •Нанесение фоторезиста
- •Маска для LOCOS
- •Маска для LOCOS
- •Маска для LOCOS: Создание окон
- •Маска для LOCOS: Создание окон
- •Травление нитрида
- •Удаление фоторезиста
- •Имплантация изоляции
- •Термический отжиг
- •Удаление нитрида
- •Недостатки LOCOS
- •Птичий клюв на LOCOS
- •Многослойный LOCOS(PBL)
- •Многослойный LOCOS
- •Изоляция неглубокими канавками (STI)
- •STI и LOCOS
- •STI и LOCOS
- •Простые STI: Очистка подложки
- •Простые STI: Рост окисла
- •Простые STI: Рост нитрида
- •Простые STI: Нанесение фоторезиста
- •Простые STI: Маска для STI
- •Простые STI: Использование маски
- •Простые STI: Создание окон
- •Простые STI: Создание окон
- •Простые STI: Травление нитрида и окисла
- •Простые STI: Удаление фоторезиста
- •Простые STI: Травление кремния
- •Простые STI: Рост барьерного окисла
- •Простые STI: Имплантация защитного слоя (Бор)
- •Простые STI: CVD оксид
- •Простые STI: Нанесение фоторезиста
- •Простые STI: Травление оксида Остановка на нитриде
- •Простые STI: Удаление нитрида
- •Простые STI: Нанесение фоторезиста
- •Простые STI: Травление оксида
- •Простые STI: Отжиг оксида
- •Усовершенствованные STI
- •Усовершенствованные STI: Рост оксида и нитрида
- •Усовершенствованные STI:
- •Усовершенствованные STI: Травление нитрида, оксида, кремния Удаление фоторезиста
- •Усовершенствованные STI: HDP
- •Усовершенствованные STI: ХМП оксида с остановкой на нитриде
- •Усовершенствованные STI: Удаление нитрида
- •p – n – p транзистор в мостиковом объёме кремния
- •КНИ – кремний на изоляторе.
- •КНИ – кремний на изоляторе.
- •В обычных КМОП – микросхемах без изолирующего слоя диоксида кремния на компенсацию неэффективности
- •На данном поперечном сечении SOI – микросхемы показан тонкий слой диоксида кремния, за
- •Преимущества КНИ приборов:
- •Недостатки КНИ структур:
- •Эффект “петли”
- •Методы формирования КНИ структур:
- •Кремний на сапфире
- •Кремний на сапфире
- •Метод реактивной ионной имплантации (SIMOX)
- •Метод реактивной ионной имплантации (SIMOX)
- •Метод реактивной ионной имплантации (SIMOX)
- •Термокомпенсационное соединение пластин с последующим уплотнением (BESOI)
- •Термокомпенсационное соединение пластин с последующим уплотнением (BESOI)
- •Термокомпенсационное соединение пластин с последующим уплотнением (BESOI)
- •Термокомпенсационное соединение пластин с последующим уплотнением (BESOI)
- •Термокомпенсационное соединение пластин с последующим уплотнением (BESOI)
- •“SMURT - CUT”
- •“SMURT - CUT”
- •“SMURT - CUT”
- •“SMURT - CUT”
- •“SMURT - CUT”
- •Кристаллизация плёнок Si на диэлектрических подложках
- •Кристаллизация плёнок Si на диэлектрических подложках
- •Кристаллизация плёнок Si на диэлектрических подложках

“SMURT - CUT”
“SMURT - CUT” отжиг при температуре 600 0С

“SMURT - CUT”
“SMURT - CUT” отжиг при температуре 1000 0С

Кристаллизация плёнок Si на диэлектрических подложках
Формирование исходных слоёв кремния

Кристаллизация плёнок Si на диэлектрических подложках
Фотолитография

Кристаллизация плёнок Si на диэлектрических подложках
Рекристаллизация кремния
Соседние файлы в папке Александров