ПРЕЗЕНТАЦИЯ ДИСЦИПЛИНЫ:
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ (раздел 1)
Черных Александр Георгиевич канд.техн.наук, доцент
Раздел 1
Блок технологических процессов создания изоляции элементов ИС
Структура раздела
• Процессы изоляции биполярных элементов интегральных схем
• Процессы изоляции МОП элементов интегральных схем
Особенности формирования скрытого слоя
Скрытый слой – сильнолегированная n+ - часть коллекторной области уменьшающая сопротивление коллектора.
Этапы формирования :
1 – термическое окисление, литография, ионное легирование.
-исходный материал : Si p – типа (~1015см-3) -легирующая примесь : мышьяк(As) , сурьма(Sb)
Особенности формирования скрытого слоя
2 – термическая обработка в окисляющей среде.
3 – удаление окисла
- поверхностное сопротивление скрытого слоя ~15-20 Ом\ 
Метод изоляции разделительной диффузией
Преимущества: низкая трудоёмкость.
Недостатки: 1) низкая степень интеграции 2) высокий уровень паразитных ёмкостей,
токов утечки и ограничение по противному напряжению
Этапы формирования структуры ИС
1.Термическое окисление, литография:
2.Легирование бором:
3.Термическая обработка, удаление окисла:
Метод изоляции локальным окислением. (LOCOS)
Поперечное сечение области изоляции.
Планаризация изолирующих областей
