Добавил:
Адепт твердотельной электроники, последователь учений Михайлова Н.И. Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лабы КОЭ / СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЛАЗЕРОВ

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
21.06.2024
Размер:
649.41 Кб
Скачать

1.4. Обработка результатов и содержание отчета

Из-за большого количества расчетов работу рекомендуется оформлять

спомощью компьютера. В отчете должны быть представлены:

1.Цель работы.

2.Схема измерительной установки.

3.Результаты измерения коэффициента пропускания и расчета показателя поглощения исследованных образцов в виде таблиц и графиков. При этом показатель отражения следует считать не зависящим от частоты излучения и определить его исходя из коэффициента преломления веществ:

R(n1 n2 )2 (n1 n2 )2

Коэффициент преломления рубина n равен 1,76, стекла – 1,55.

4.Подробное описание результатов идентификации полос поглощения

ссоответствующими переходами между энергетическими уровнями исследованных веществ. В частности, для рубина следует определить положение на графиках полос поглощения U и Y.

5.Результаты определения из (1.10) процентного содержания Cr2O3

и концентрации ионов хрома в образце рубина. Для этого расчета используется известная из школьного курса физики формула, включающая плотность вещества, число Авагадро и молярную массу. Плотность рубина рав-

на 3,39 · 103 кг/м3.

6. Расчет по формуле (1.16) коэффициентов Эйнштейна В02 для соответствующих переходов. Расчет проводится отдельно для каждой из полос (U

и Y).

7. Расчет коэффициента Эйнштейна A20 из соотношения (1.17) для каждой из полос поглощения.

8. Расчет из (1.11) интегрального поперечного сечения поглощения χ для Cr3+ в рубине для каждой из полос поглощения.

9. Выводы по каждому из приведенных выше пунктов.

1.5.Контрольные вопросы

1.Дать обзор материалов, используемых в качестве активных элементов твердотельных лазеров.

2.Сформулировать основные требования, предъявляемые к материалам активных элементов лазеров.

3.Пояснить необходимость введения ионов активатора и рассказать о влиянии кристаллической и аморфной матриц на энергетические состояния в активаторе.

4.Рассказать о возможных схемах работы лазера и сформулировать преимущества использования четырехуровневой схемы работы по сравнению

стрехуровневой.

5.Перечислить основные параметры, характеризующие взаимодействие оптического излучения с веществом.

6.Дать определение показателя поглощения и пояснить сущность закона Бугера–Ламберта.

7.Пояснить принцип работы экспериментальной установки, рассказать о методах измерения оптических характеристик вещества.

8.Провести анализ полученных данных, связав их с энергетическими диаграммами исследованных материалов.

9.Объяснить причины использования в твердотельных лазерах кристаллов рубина с невысокой концентрацией хрома.

10.Дать определение коэффициентов Эйнштейна и пояснить связь между коэффициентами для вынужденных и спонтанных переходов.

11.Пояснить преимущества полупроводниковых лазеров и светодиодов перед ксеноновыми лампами и лампами накаливания для накачки твердотельных лазеров.