Заключение

Таким образом, карбид кремния - один из тех материалов, которые имеют большие перспективы в будущем и большую применимость в настоящем.

Из довольно значимых устройств на основе карбида кремния также стоит упомянуть: · туннельные диоды; · высоковольтные оптические переключатели; · светодиоды с яркостью до 10000 Кд/м², работающие при температуре от 77 до 600K; · разнообразные датчики (газов, органических веществ, радиации; температуры, давления), работающие в самых неблагоприятных условиях; · маломощные транзисторы и стабилитроны для работы в неблагоприятных условиях; · ячейки оперативной памяти и логические микросхемы; · микроэлектромеханические устройства (МЭМС) и переключатели для СВЧ-антенн.

Рассматривая современный уровень развития SiC-электроники, можно сказать, что это направление уже доказало свою эффективность и приносит плоды. В будущем же можно ожидать более развитую технологию производства и, как следствие, значительно улучшенные электрофизические параметры.