Рис. 10 - ВАХ диода Шоттки с учетом и без учета модели лавинной генерации носителей в сильных полях
Анализируя ВАХ диода Шоттки, делаем вывод, что в случае учета модели лавинной генерации носителей в сильных полях на определенном значении обратного напряжении возможен пробой структуры. На данной ВАХ данный факт не отображается, но, предположительно, пробой структуры происходит при -7 В. Объясняется это тем, что в сильных электрических полях электроны разгоняются и начинают ионизировать атомы кристаллической решетки, тем самым увеличивая количество носителей заряда в полупроводниковой структуре.
11
ВЫВОД
В ходе выполнения данной лабораторной работы были изучены основные инструменты и аспекты работы с Synopsys TCAD. Были построены модели полупроводникового резистора и диода Шоттки.
Анализируя анализируя распределение напряженности электрического поля в полупроводниковом резисторе (рис. 4), делаем вывод,
что в точке возле стока напряженность поля имеет максимальное значение, то есть в данной точке возможен пробой структуры.
Также, анализируя концентрации электронов для обратного и прямого включения диода (рис. 8), делам вывод, что при отрицательном смещении под контактом образовалась область обеднения, концентрация электронов в которой составляет менее 104 см–3, а при положительном смещении концентрация основных носителей заряда под контактом примерно равна концентрации легирующей примеси.
12