7. Изменение вах и крутизны вах птш при учете сопротивлений истока и стока
Исходные параметры: UЗИ = -4,48 В; UCИ = 7,5 В; A = 0,16 мкм; Nd = 5 1023 м-3. Представим ВАХ и крутизну ВАХ ПТШ с учетом и без учета сопротивлений истока и стока:
Рис. 15 –ВАХ ПТШ без учета сопротивлений истока и стока
Рис. 16 – ВАХ ПТШ с учетом сопротивлений истока и стока
Рис. 17 – Крутизна ВАХ ПТШ без учета сопротивлений истока и стока
Рис. 18 – Крутизна ВАХ ПТШ с учетом сопротивлений истока и стока
Таким образом, анализируя полученные графики ВАХ и крутизны ВАХ ПТШ с учетом сопротивлений истока и стока, делаем вывод, что характеристики транзистора в значительной степени изменяются в худшую сторону, а именно - значение тока и напряжения насыщения, а также крутизна ВАХ уменьшаются. Данный факт объясняется тем, что данные сопротивления вносят вклад в общее сопротивление транзистора и распределение потенциала в структуре, вызывая падения потенциала на истоке и стоке.
ВЫВОД
Анализируя полученные зависимости ПТШ, делаем вывод, что основной принцип работы ПТШ основан на изменении глубины обедненного слоя. При этом, на глубину обедненного слоя, а значит и на значение тока на выходе транзистора, можно влиять, изменяя значение напряжения затвора, напряжение стока, толщины активного слоя и концентрации донорной примеси.
Также, стоит отметить, что необходимо учитывать конструктивные особенности ПТШ, обращая внимание на контакты транзистора, которые могут вызывать дополнительное падение напряжение на себе, изменяя выходные характеристики.