- •Типы и параметры объектов исследования
- •Результаты измерений
- •1. Выходные характеристики полевого транзистора:
- •2. Передаточные характеристики полевого транзистора:
- •3. Зависимость стокового тока от напряжения подложки:
- •4. Зависимость порогового напряжения от напряжения подложки:
- •Результаты вычислений
- •1. Вычисление крутизны по затвору:
- •2. Вычисление крутизны по подложке:
- •3. Вычисление внутреннего сопротивления:
4. Зависимость порогового напряжения от напряжения подложки:
Табл. 8
Зависимость порогового напряжения от напряжения подложки
UПОР, В |
-3,43 |
-3,83 |
-3,94 |
-5 |
-5,14 |
-5,20 |
-5,27 |
UПИ, В |
0 |
-2 |
-4 |
-6 |
-8 |
-10 |
-12 |
Рис. 7 – График зависимости порогового напряжения от напряжения подложки
Результаты вычислений
1. Вычисление крутизны по затвору:
Крутизну по затвору рассчитаем по следующей формуле:
SЗ
=
Пример вычислений:
SЗ
=
=
= 1,325 мА/В
Табл. 9
Значения крутизны по затвору при UСИ = -5 В и UПИ = 0
IС, мА |
-0,9 |
-2,85 |
-6 |
-9,2 |
UЗИ, В |
-2 |
-4 |
-6 |
-8 |
S, мА/В |
- |
0,975 |
1,575 |
1,6 |
Табл. 10
Значения крутизны по затвору при UСИ = -10 В и UПИ = 0
IС, мА |
-0,95 |
-3,6 |
-8,2 |
-11,6 |
UЗИ, В |
-2 |
-4 |
-6 |
-8 |
S, мА/В |
- |
1,325 |
2,3 |
1,7 |
2. Вычисление крутизны по подложке:
Крутизну по подложке рассчитаем по следующей формуле:
SП
=
Пример вычислений:
SП
=
=
= -0,6 мА/В
Табл. 11
Значение крутизны по подложке при UЗИ = 8 В и UСИ = 10 В
IС, мА |
-11,6 |
-9,2 |
-8 |
-7,2 |
UПИ, В |
0 |
-4 |
-8 |
-12 |
S, мА/В |
- |
-0,6 |
-0,3 |
-0,2 |
3. Вычисление внутреннего сопротивления:
Внутреннее сопротивление рассчитаем по следующей формуле:
Ri
=
Пример вычислений:
Ri
=
=
= 2,5 кОм
При этом, стоит уточнить, что расчеты проводились для участков насыщения выходных характеристик.
Табл. 12
Значение внутреннего сопротивления при UПИ = 0
UЗИ, В |
-4 |
-6 |
-8 |
Ri, кОм |
7,5 |
5 |
2,5 |
ВЫВОД
Анализируя график выходных характеристики полевого транзистора (рис. 4), делаем вывод, что отклонение характеристики от линейной на участке от нуля до напряжения насыщения объясняется уменьшением канала около стока и ростом сопротивления канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе.
Анализируя график передаточных характеристик полевого транзистора (рис. 5), делаем вывод, что что с увеличением отрицательного напряжение на затворе ток стока также увеличивается за счет увеличения ширины канала.
Анализируя график зависимости тока стока от напряжения подложки (рис. 6), можем заметить, что при увеличении напряжения на затворе выходные характеристики смещаются в область больших токов стока. Связано это с тем, что при больших напряжениях происходит лавинный пробой p–n-перехода.
Анализируя график зависимости порогового напряжения от напряжения подложки (рис. 7), делаем вывод, что с увеличением напряжения подложки значения порогового напряжения также смещается в область больших значений напряжения.
