2.1 Выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером:
Табл. 9
Выходные характеристики при IБ = 0
IК, мА |
0 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,3 |
-0,35 |
UКЭ, В |
0 |
-1 |
-3 |
-10 |
-20 |
Табл. 10
Выходные характеристики при IБ = 0,2 мА
IК, мА |
0 |
-3,8 |
-3,9 |
-4 |
-5 |
-5,2 |
UКЭ, В |
0 |
-1 |
-2 |
-4 |
-10 |
-20 |
Табл. 11
Выходные характеристики при IБ = 0,4 мА
IК, мА |
0 |
-7 |
-7,2 |
-7,8 |
-8 |
UКЭ, В |
0 |
-0,4 |
-2 |
-10 |
-20 |
Рис. 11 – Графики выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером при разных значениях базового тока
Результаты вычислений
1. Расчетные значения h – параметров для схемы с общей базой:
Связь h – параметров с комплексными амплитудами токов и напряжений выражается через следующую систему:
Тогда, для схемы с общей базой:
Комплексные амплитуды токов и напряжений заменим малыми приращениями.
Отсюда,
входное сопротивление h11
(при
UКБ
= 0):
h11
=
=
=
15 Ом
Коэффициент обратной передачи по напряжению h12 (при IЭ = 0):
h12
=
=
=
0,0015
Коэффициент передачи по току h21 (при UКБ = 0):
h21
=
=
=
0,925
Выходная проводимость h22 (при IЭ = 0):
h22
=
=
=
10-7
См
2. Расчетные значения h – параметров для схемы с общим эмиттером:
Для схемы с общим эмиттером:
Отсюда, входное сопротивление h11 (при UКЭ = 0):
h11
=
=
=
16 кОм
Коэффициент обратной передачи по напряжению h12 (при IБ = 0):
h12
=
=
=
0,01
Коэффициент передачи по току h21 (при UКЭ = 0):
h21
=
=
=
16,5
Выходная проводимость h22 (при IБ = 0):
h22.
=
=
=
2
10-5
См
ВЫВОД
Анализируя h – параметры для биполярного транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером, делаем выводы, что в случае схемы с общей базой усиление по току отсутствует, так как коэффициент передачи тока меньше единицы (h21 = 0,925). Также, схема с общей базой обладает низким входным сопротивлением (h11 = 15 Ом) и низкой выходной проводимостью (h22 = 10-7 См), то есть, высоким выходным сопротивлением (1/h22 = 10 МОм).
При этом, анализируя h – параметры для биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, делаем выводы, что схема с общим эмиттером обладает усилительными свойствами по току (h21 = 16,5), Также, схема с общим эмиттером обладает высоким входным сопротивлением (h11 = 16 кОм) и низкой выходной проводимостью (h22 = 2 10-5 См), то есть высоким выходным сопротивлением (1/h22 = 50 кОм).