2. Вычисление статистического и динамического сопротивлений стабилитрона кс191с

1.1 Вычислим статистическое сопротивление стабилитрона:

R =

где U_СТ и I_СТ:

U_СТ = = = -9,2 [В]

I_СТ = = = -5,5 [мА]

Отсюда:

R = = = 1,67 [кОм]

1.2 Вычислим динамическое сопротивление стабилитрона:

r =

где и :

= U_СТМАКС - U_СТМИН = -9,4 + 9 = -0,4 [В]

= I_СТМАКС - I_СТМИН = -10 + 1= -9 [мА]

Отсюда:

r = = = 40 [Ом]

ВЫВОД

В ходе данной лабораторной работы были получены экспериментальные значения, на основании которых можно сделать следующие выводы:

Анализируя график прямых ветвей ВАХ диодов КД103 и Д7Ж (рис. 3), делаем вывод, что пороговое напряжение диода КД103 (0,68 В) значительно выше порогового напряжения диода Д7Ж (0,2 В), так как это связано с различием в ширине запрещенных зон двух материалов. То есть, диод Д7Ж начинает проводить ток при более низких значений напряжения. Однако, термостабильность диода Д7Ж значительно хуже.

Анализируя прямые ветви ВАХ стабилитрона Д814 и стабилитрона КС191С (рис. 4 и рис. 5), делаем вывод, что стабилитрон Д814 используется для стабилизации напряжения в пределах 0,8 В, при этом, стабилитрон КС191С используется для стабилизации напряжения в более высоком диапазоне (82 В).

Также, анализируя обратные ветви диодов КД103 и Д7Ж (рис. 6 и рис. 7), делаем вывод, что напряжение пробоя диода КД103 (350 В) значительно ниже напряжения пробоя диода Д7Ж ( 400 В).

Анализируя обратные ветви стабилитронов (рис. 8 и рис. 9), делаем вывод, что более крутую ветвь имеет стабилитрон с большим динамическим сопротивлением, в данном случае, это стабилитрон КС191С.

Также, анализируя ВАХ туннельного диода ЗИ301 (рис. 10), делаем вывод, что значение пикового тока в исследованном туннельном диоде равно: I_max = 3,2 [мА].