Тест Твердотелка / ТТЭ_тест

1. Диффузионный ток в полупроводнике протекает:

 1. при наличии градиента концентрации носителей

 2. при существовании электрического поля

 3. при повышении температуры

2. Как влияет увеличение ширины запрещенной зоны полупроводника на контактную разность потенциалов p-n – перехода?

 1. не влияет

 2. возрастает

 3. уменьшается

3. Как зависит обратный ток p-n перехода от собственной концентрации?

 1. не зависит

 2. линейно

 3. квадратичная зависимость

4. Как зависит подвижность носителей заряда в полупроводниках от температуры?

 1. увеличивается

 2. уменьшается

 3. увеличивается и уменьшается при наличии примесей

5. Как изменяется высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением температуры?

 1. не изменяется

 2. увеличивается

 3. уменьшается

6. Как изменяется подвижность носителей с увеличением концентрации примесей?

 1. растет

 2. не изменяется

 3. уменьшается

7. Как изменяется ширина области объемного заряда резкого и плавного p-n – переходов при увеличении обратного напряжения?

 1. не изменяется

 2. уменьшается

 3. возрастает

8. При каких работах выхода металла и n – полупроводника образуется выпрямляющий контакт?

 1. A ме › A пп

 2. A ме ‹ A пп

 3. A ме ~ A пп

9. При каких условиях в полупроводнике протекает дрейфовый ток?

 1. при наличии градиента концентрации носителей

 2. при существовании электрического поля

 3. при повышении температуры

10. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …

 1. линейно

 2. по параболе

 3. по гиперболе

11. При обратном смещении p-n – перехода широкозонных полупроводников преобладает… составляющая тока.

 1. генерационная

 2. рекомбинационная

 3. диффузионная

12. С возрастанием температуры уровень Ферми в полупроводниках смещается…

 1. к краю валентной зоны

 2. к середине запрещенной зоны

 3. к краю зоны проводимости

13. Чем определяется частота электромагнитных колебаний, возникающих в генераторе Ганна?

 1. расстоянием между электродами

 2. значением приложенного напряжения питания

 3. электрическим полем в домене

14. Электропроводность полупроводника обусловлена донорными и акцепторными примесями с одинаковой концентрацией . Полупроводник называют:

 1. вырожденным

 2. скомпенсированным

 3. собственным

15. В диоде с тонкой базой распределение концентрации инжектированных носителей:

 1. линейное

 2. параболическое

 3. экспоненциальное

16. В каких p-n – переходах коэффициент перекрытия по емкости Kс больше?

 1. в резких

 2. в плавных

 3. в диффузионных

17. В каких p-n – переходах приложенное напряжение сильнее влияет на толщину p-n – перехода?

 1. в плавных

 2. в резких

 3. не влияет

18. В кремниевых p-n – переходах преобладает… пробой

 1. тепловой

 2. лавинный

 3. туннельный

19. В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля

 1. линейное

 2. параболическое

 3. экспоненциальное

20. В туннельных диодах используются полупроводники:

 1. слабо легированные

 2. вырожденные

 3. собственные

21. Выпрямительные свойства диодов с увеличением частоты

 1. улучшаются

 2. не изменяются

 3. ухудшаются

22. Высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях…

 1. не изменяется

 2. увеличивается

 3. уменьшается

23. Генерационный ток в диоде вызывается генерацией носителей:

 1. в обедненной области

 2. в квазинейтральной области

 3. в омическом контакте

24. Как изменится напряжение лавинного пробоя диода при увеличении температуры?

 1. не изменится

 2. возрастет

 3. уменьшится

25. Какая составляющая тока преобладает в широкозонных полупроводниках при обратном смещении p-n – перехода?

 1. генерационная

 2. рекомбинационная

 3. диффузионная

26. Какой вид емкости p-n – перехода используется в варикапах?

 1. диффузионная

 2. барьерная

 3. емкость корпуса

27. Какой вид емкости диода связан с изменением заряда инжектированных носителей?

 1. зарядовая

 2. барьерная

 3. диффузионная

28. Назовите отличительные особенности обращенных диодов в сравнении с обычными выпрямительными диодами.

 1. диод с критической концентрацией примесей, в котором проводимость при прямом напряжении вследствие туннельного эффекта выше, чем при обратном напряжении

 2. диод с критической концентрацией примесей, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие лавинного эффекта выше, чем при прямом напряжении.

 3. диод с критической концентрацией примесей, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта выше, чем при прямом напряжении.

29. При прямом смещении p-n – перехода направление внешнего и внутреннего поля в переходе...

 1. совпадают

 2. противоположны

 3. не имеет значения

30. При увеличении температуры прямой и обратный токи диода

 1. уменьшаются

 2. возрастают

 3. прямой ток растет, а обратный ток уменьшается

31. С изменением заряда инжектированных носителей изменяется емкость

 1. зарядовая

 2. барьерная

 3. диффузионная

32. С увеличением ширины запрещенной зоны полупроводника контактная разность потенциалов p-n – перехода

 1. не изменяется

 2. возрастает

 3. уменьшается

33. Активный режим работы n-p-n – транзистора в схеме с ОБ обеспечивается при напряжениях на переходах:

 1. UЭБ > 0; U КБ > 0.

 2. UЭБ > 0; U КБ < 0.

 3. U ЭБ < 0; U КБ > 0.

34. Активный режим работы p-n-p – транзистора в схеме с ОБ обеспечивается при напряжениях на переходах:

 1. UЭБ > 0; U КБ > 0.

 2. UЭБ > 0; U КБ < 0.

 3. U ЭБ < 0; U КБ > 0.

35. В каких схемах включения транзисторов лучше частотные и переключающие свойства?

 1. с ОБ

 2. с ОЭ

 3. с ОК

36. В какой схеме включения транзистора самое низкое входное сопротивление?

 1. с общим эмиттером

 2. с общей базой

 3. с общим коллектором

37. В какой схеме включения транзисторов достигается наибольшее усиление тока?

 1. ОБ

 2. ОЭ

 3. одинаковое

38. Для каких уровней сигналов используется схема замещения Эберса – Молла и Гуммеля-Пуна?

 1. для малых

 2. для больших

 3. для средних

39. Для увеличения эффективности эмиттера отношение концентрации примесей в эмиттере и в базе следует

 1. уменьшить

 2. увеличить

 3. оставить без изменения

40. Почему транзисторы с диодом Шотки в цепи коллектор-база характеризуются повышенным быстродействием?

 1. отсутствует инжекция в коллекторном переходе

 2. уменьшается барьерная емкость коллектора

 3. уменьшается время рассасывания

41. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

 1. больше в схеме с ОБ

 2. одинаково

 3. больше в схеме с ОЭ

42. К какому типу приборов относятся диаки и триаки?

 1. к транзисторам

 2. к выпрямительным диодам

 3. к тиристорам

43. Как можно осуществить электрическое включение диодного тиристора?

 1. плавным увеличением анодного напряжения

 2. быстрым увеличением анодного напряжения

 3. тем и другим способом

44. Какой источник питания анодной цепи необходимо использовать при исследовании вольтамперной характеристики тиристора?

 1. источник напряжения

 2. источник тока

 3. и тот и другой

45. При каком способе выключения диодного тиристора достигается меньшее время выключения?

 1. при отключении цепи питания

 2. при изменении полярности анодного напряжения

 3. при коротком замыкании тиристора

46. Тиристор – это полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) выпрямляющих перехода, предназначенный для использования в схемах:

 1. усиления

 2. стабилизации

 3. переключения

47. Значение крутизны полевого транзистора определяется соотношением

 1. ∆ Ic ∕ ∆ I з

 2. ∆ Iс ∕ ∆Uс

 3. ∆ Iс ∕ ∆ Uз

48. Как влияют длина L и ширина W канала полевого транзистора на его крутизну S?

 1. S ~ L / W

 2. S ~ W / L

 3. S ~ ( W / L ) ½

49. Какая схема включения полевого транзистора используется чаще – с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) или с общим затвором (ОЗ) ?

 1. ОИ

 2. ОЗ

 3. ОС

50. Наиболее важной особенностью полевого транзистора является …

 1. повышенное быстродействие

 2. лучшие усилительные свойства

 3. большое входное сопротивление

51. Почему в полевом транзисторе с управляющим переходом ток стока растет с увеличением напряжения на стоке?

 1. из-за усиления по току

 2. из-за увеличения концентрации носителей заряда

 3. длина и сопротивление канала зависят от напряжения на стоке в степени < 1

52. Пробивное напряжение полевых транзисторов с управляющим переходом при увеличении напряжения на затворе

 1. уменьшается

 2. увеличивается

 3. не изменяется

53. Каково основное назначение I G B T – транзистора?

 1. усиление сигналов

 2. выпрямление напряжения

 3. коммутация мощности

54. МДП- транзистор с встроенным каналом в схемах усиления чаще используется:

 1. в режиме обеднения

 2. в режиме обогащения

 3. в обоих режимах

55. По какой цепи управления больше крутизна МДП- транзистора?

 1. по цепи подложки

 2. по цепи затвора

 3. не имеет значения

56. Почему характеристики полевых транзисторов описываются уравнениями, в которых токи являются функциями напряжений, а не наоборот?

 1. из-за низкого уровня шумов

 2. из-за высокой крутизны

 3. из-за высокого входного сопротивления

57. Принцип действия прибора с зарядовой связью основан на…

 1. управлении переносом пакета неосновных носителей заряда в полупроводнике

 2. коммутации напряжения в цепи нагрузки

 3. генерации фото-ЭДС при освещении матрицы фотоэлементов

58. Какие из фотоприемников могут использоваться для генерации электрической энергии при поглощении света: фоторезистор; фотоэлемент; фотодиод ?

 1. фоторезистор

 2. фотодиод

 3. фотоэлемент

59. Почему световая характеристика фоторезистора носит сублинейный характер?

 1. усиливается поглощение света

 2. возрастает отражение

 3. уменьшается время жизни носителей и подвижность

60. С увеличением энергии фотонов поглощение переходит от…

 1. поглощения носителями к собственному поглощению

 2. от собственного поглощения к примесному

 3. от примесного к поглощению носителями

61. Самой высокой фоточувствительностью характеризуется:

 1. фотодиод

 2. фоторезистор

 3. фототранзистор

62. Спектральная характеристика фоторезистора имеет спад при малых длинах волн излучения:

 1. из-за увеличения поглощения света вблизи поверхности

 2. из-за усиления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей

 3. по двум указанным причинам