Тест Твердотелка / ТТЭ_вопрос

1. "Эффект поля " в полупроводниках. Инверсия, обогащенние, обеднение. Условие сильной инверсии. Зонные диаграммы. Зависимость поверхностного заряда от поверхностного потенциала.

2. Виды генерации носителей заряда в полупроводнике (тепловая, лавинная, туннельная).

3. Выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Зонные диаграммы. Факторы, определяющие высоту потенциального барьера. ВАХ. ВФХ.

4. Р-п- переход. Контактная разность потенциалов. Толщина обедненной области. Концентрация неосновных носителей на границе области объемного заряда при прямом и обратном смещении перехода.

5. Токи в р-п- переходе. Сравнение идеальной и реальной ВАХ. Составляющие прямого и обратного токов.

6. Р-п- переход. Виды пробоя перехода. Характерные признаки лавинного и туннельного пробоя. Баланс выделяемой и рассеиваемой мощности при тепловом пробое. ВАХ при различных видах пробоя. Влияние температуры на пробой перехода.

7. Барьерная и диффузионная емкости в р-п- переходе. Вольтфарадные зависимости. Применение.

8. Гетеропереход. Виды гетеропереходов. Зонные диаграммы. Факторы, определяющие высоту потенциальных барьеров для носителей заряда. Сравнение р-п однородного и гетеропереходов

9. Полупроводниковый планарный диод. Устройство, принцип действия. Параметры и характеристики ВАХ диодов, выполненных из разных материалов.

10. Стабилитрон и стабистор. Назначение, принцип действия. Параметры и основные характеристики.

11. Варикап. Назначение, принцип действия. Основные характеристики и параметры.

12. Туннельный и обращенный диоды. Назначение, принцип действия. Основные характеристики.

13. Биполярный транзистор. Режимы работы, схемы включения. Характеристики в схеме с общей базой. Коэффициент передачи тока.Частотные свойства.

14. Биполярный транзистор. Характеристики в схеме с общим эмиттером. Коэффициент передачи тока. Частотные свойства.

15. Тиристор. Назначение, принцип действия. Двухтранзисторная модель тиристора. Основные характеристики. Способы включения тиристора. Способы выключения тиристора.

16. Полевой транзистор с управляющим р-п- переходом. Назначение, принцип действия. Основные характеристики.

17. МДП транзистор с индуцированным каналом. Устройство. Принцип действия. Основные параметры и характеристики.

18. МДП транзистор с встроенным каналом. Устройство. Принцип действия. Основные параметры и характеристики

19. Приборы с зарядовой связью. Принцип действия, параметры, применение.

20. Фотоприемники (фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фотоэлемент). Назначение, принцип действия. Основные характеристики.

21. Светоизлучающие диоды. Назначение, принцип действия. Основные характеристики.

22. Диод Ганна. Принцип действия. Вольтамперная характеристика. Частота генерации.