7. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …

линейно

по параболе

по гиперболе

8. В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля

линейное

параболическое

экспоненциальное

9. Почему характеристики полевых транзисторов описываются уравнениями, в которых токи являются функциями напряжений, а не наоборот?

из-за низкого уровня шумов

из-за высокой крутизны

из-за высокого входного сопротивления

10 .Во сколько раз изменится барьерная емкость плавного p-n перехода при увеличении обратного напряжения от 10 до 80В?

в 2 раза.

в 3 раза

в 4 раза

1. Почему в кристалле полупроводника может возникнуть только один домен?

при образовании домена уменьшается поле за пределами домена.

в кристалле только один p-n-переход

время образования домена велико

2. Что такое диффузия (а) и дрейф (б) носителей заряда? Отметить буквой выбранное определение.

перемещение носителей в электрическом поле

тепловое перемещение носителей

перемещение носителей из-за градиента концентрации

3.. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя

уменьшается

увеличивается

не изменяется

4.. Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетических уровней и зон на энергетической диаграмме полупроводника?

концентрацией примесей

напряженностью поля

концентрацией носителей

5. Во сколько раз изменится барьерная емкость плавного p-n перехода при увеличении обратного напряжения от 10 до 80В?

в 2 раза.

в 3 раза

в 4 раза

6. Какая схема включения полевого транзистора используется чаще – с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) или с общим затвором (ОЗ) ?

ОИ

ОЗ

ОС

7.Какую разновидность транзисторов относят к транзисторам обедненного типа?

транзисторы с индуцированным каналом

транзисторы с p-n-переходом

транзисторы с встроенным каналом

8. По какой цепи управления больше крутизна МДП- транзистора?

по цепи подложки

по цепи затвора

не имеет значения

9. Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

f h 21э < f h 21b

f h 21э ═ f h 21b

f h 21э > f h 21b

10. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

меньше в схеме с ОБ

одинаково

меньше в схеме с ОЭ

1. Электропроводность полупроводника в сильных электрических полях:

не изменяется

возрастает

уменьшается

2. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя

уменьшается

увеличивается

не изменяется

3. Почему в дрейфовых транзисторах достигается более высокое быстродействие?

из-за меньшей емкости коллектора

из-за наличия внутреннего поля в базе

из-за меньшей толщины базы

4.В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля

линейное

параболическое

экспоненциальное

5.Как изменится напряжения пробоя при образовании обогащенного слоя на поверхности базы диода?

уменьшится

увеличится

не изменится

6. Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

f h 21э < f h 21b

f h 21э ═ f h 21b

f h 21э > f h 21b

7. Какая из составляющих обратного тока преобладает в кремниевых диодах?

ток насыщения

ток экстракции

ток генерации

8.Ток экстракции диода с толстой базой при увеличении напряжения

уменьшается

растет

не изменяется

9.Какая схема включения полевого транзистора используется чаще – с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) или с общим затвором (ОЗ) ?

ОИ

ОЗ

ОС

10. . Вычислите значение контактной разности потенциалов в германиевом электронно-дырочном переходе при температуре 293К (кТ/q ≈ 0,025 В), если n_n0 = p_po = 10¹⁷ см^-3 и n_i ≈10¹³ см^-3.

0,38 В

0,9 В

0,46 В.