- •1. Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях:
- •7. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…
- •1 .Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях:
- •9. Тиристор – это полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) выпрямляющих перехода, предназначенный для использования в схемах:
- •10.С накоплением неравновесных основных носителей в базовых областях тиристорной структуры высота барьеров p-n- переходов
- •7. В линейном p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…
- •1. Электропроводность полупроводника в сильных электрических полях:
- •7. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…
- •1. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях может возрастать:
- •5. Дифференциальное сопротивление стабилитрона при увеличении тока
- •7. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур
- •1. Электропроводность полупроводника в сильных электрических полях:
7. В линейном p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
линейно |
по параболе |
по гиперболе |
8. В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля
линейное |
параболическое |
экспоненциальное |
9.С увеличением температуры уровень Ферми в полупроводнике смещается:
к краю зоны проводимости |
к краю валентной зоны |
к середине запрещенной зоны |
10 .На поверхности n- полупроводника располагается положительный заряд. Как изменится поверхностная электропроводность полупроводника?
образуется инверсный слой |
уменьшится |
увеличится |
1. Почему в кристалле полупроводника может возникнуть только один домен?
уменьшается поле за пределами домена. |
в кристалле только один p-n-переход |
время образования домена велико |
2. Что такое диффузия (а) и дрейф (б) носителей заряда? Отметить буквой выбранное определение.
перемещение носителей в электрическом поле |
тепловое перемещение носителей |
перемещение носителей под влиянием градиента концентрации |
3.. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя
уменьшается |
увеличивается |
не изменяется |
4.. Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетической диаграммы полупроводника?
концентрацией примесей |
напряженностью электрического поля в полупроводнике |
концентрацией носителей заряда |
5. Во сколько раз изменится барьерная емкость плавного p-n перехода при увеличении обратного напряжения от 10 до 80В?
в 2 раза. |
в 3 раза |
в 4 раза |
6.. Какая схема включения полевого транзистора используется чаще – с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) или с общим затвором (ОЗ) ?
ОИ |
ОЗ |
ОС |
7. Какую разновидность транзисторов относят к транзисторам обедненного типа?
транзисторы с индуцированным каналом |
транзисторы с p-n-переходом |
транзисторы с встроенным каналом |
8. По какой цепи управления больше крутизна МДП- транзистора?
по цепи подложки |
по цепи затвора |
не имеет значения |
9. Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов в схемах ОБ и ОЭ
f h 21э < f h 21b |
f h 21э ═ f h 21b |
f h 21э > f h 21b |
10. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ
меньше в схемах с ОБ |
меньше в схемах с ОЭ |
больше в схемах с ОБ |
1. Электропроводность полупроводника в сильных электрических полях:
не изменяется |
возрастает |
уменьшается |
2. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя
уменьшается |
увеличивается |
не изменяется |
3. Почему в дрейфовых транзисторах достигается более высокое быстродействие?
из-за меньшей емкости коллектора |
из-за наличия внутреннего поля в базе |
из-за меньшей толщины базы |
4.В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля
линейное |
параболическое |
экспоненциальное |
5.Как изменится напряжения пробоя при образовании обогащенного слоя на поверхности базы диода?
уменьшится |
увеличится |
не изменится |
6. Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов в схемах ОБ и ОЭ
f h 21э < f h 21b |
f h 21э ═ f h 21b |
f h 21э > f h 21b |
7. Какая из составляющих обратного тока преобладает в кремниевых диодах?
ток насыщения |
ток экстракции |
ток генерации |
8.Ток экстракции диода с толстой базой при увеличении напряжения
уменьшается |
растет |
не изменяется |
9.Какая схема включения полевого транзистора используется чаще – с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) или с общим затвором (ОЗ) ?
ОИ |
ОЗ |
ОС |
10. . Вычислите значение контактной разности потенциалов в германиевом p-n- переходе при температуре 293К (кТ/q ≈ 0,025 В), если nn0 = ppo = 1017 см-3 и ni ≈1013 см-3.
0,38 В |
0,9 В |
0,46 В. |