10.С накоплением неравновесных основных носителей в базовых областях тиристорной структуры высота барьеров p-n- переходов

не изменяется

увеличивается

уменьшается

1. По наклону температурной зависимости электропроводности полупроводника, при повышенной температуре, определяют:

изменение удельной проводимости

ширину запрещенной зоны полупроводника

изменение концентрации примеси

2. Пробивное напряжение диода увеличивается с ростом температуры, если пробой носит ….. характер.

лавинный

туннельный

тепловой

3. В каком p-n – переходе приложенное напряжение сильнее влияет на его толщину?

в плавном

в резком

не влияет

4. Граничная концентрация носителей заряда при обратном / прямом напряжении на переходе

увеличивается / уменьшается

уменьшается / увеличивается

не изменяется

5. В каких схемах включения транзисторов лучше частотные свойства?

с ОБ

с ОЭ

с ОК

6. Какие режимы работы транзисторов являются основными в схемах транзисторных ключей?

активный

насыщения

отсечки

7. Для каких уровней сигналов используется схема замещения Эберса - Молла?

для малых

для больших

для средних

8. Электрическое включение диодного тиристора можно осуществить:

плавным увеличением анодного напряжения

быстрым увеличением анодного напряжения

тем и другим способом

9. Каково основное назначение I J B T – транзистора?

усиление сигналов

выпрямление напряжения

коммутация мощности

10. Транзисторы Шоттки характеризуются повышенным быстродействием благодаря:

исключению режима насыщения

меньшей барьерной емкости коллекторного перехода

высокой подвижности носителей

1. Ток насыщения p-n перехода зависит от концентрации собственных носителей?

не зависит

линейно

квадратичная зависимость

2. В диоде с тонкой базой , при увеличении обратного напряжения, ток насыщения …

увеличивается

уменьшается

не изменяется

3. Наклон (угловой коэффициент) энергетической диаграммы полупроводника определяется:

напряженностью электрического поля в полупроводнике

концентрацией примесей

концентрацией носителей заряда

4. Обычная толщина области объемного заряда p-n перехода составляет

10 - 5см

10 – 4см

10 – 6 см

5. Подвижность носителей заряда с увеличением концентрации примесей

растет

не изменяется

уменьшается

6. Какие структуры диодов: сплавные, диффузионные, эпитаксиально – планарные широко используются в микроэлектронике?

сплавные

эпитаксиально – планарные

диффузионные

7. При увеличении температуры прямой и обратный токи диода

уменьшаются

возрастают

прямой ток растет, а обратный ток уменьшается

8. При обратном смещении германиевых диодов преобладает ток:

генерации

насыщения

рекомбинации

9.Выпрямительные свойства диодов с увеличением частоты

улучшаются

не изменяются

ухудшаются

10.Пробивное напряжение диода с увеличением температуры уменьшается , при…

туннельном пробое

теплововом пробое

лавинном пробое

1. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя p-n- перехода

уменьшается

увеличивается

не изменяется

2. С изменением заряда инжектированных носителей изменяется емкость

зарядовая

барьерная

диффузионная

3.Концентрация инжектированных неосновных носителей по мере удаления от границы p-n перехода в диоде с тонкой базой изменяется

линейно

экспоненциально

не изменяется

_{4. Определите низкий, средний и высокий уровни инжекции в несимметричном p-n переходе диода: ∆ pn « nn 0 (а); Δ pn » nn0 (б); Δ pn ≈ nn0 (в);}

низкий

средний

высокий

5. Пробивное напряжение резких несимметричных переходов определяется удельным сопротивлением

низкоомной области

высокоомной области

не зависит от уд. сопротивл.

6. Какая из составляющих обратного тока преобладает в кремниевых диодах?

ток насыщения

ток экстракции

ток генерации

7. Определите, о каком режиме работы диода и размерах его базы идет речь, если: - ток неосновных носителей в базе остается постоянным;- в области базы возникает электрическое поле; - сопротивление базы зависит от тока.

диод с тонкой базой и низким уровнем инжекции

диод с толстой базой и высоким уровнем инжекции

диод с тонкой базой и высоким уровнем инжекции

8. Генерационный ток в диоде вызывается генерацией носителей:

в p- n переходе

в прилегающих областях

в омическом контакте

9. В туннельных диодах используются полупроводники:

слабо легированные

вырожденные

собственные

10. При каких работах выхода металла и n – полупроводника образуется выпрямляющий контакт?

A ме › A пп

A ме ‹ A пп

A ме ~ A пп

1. Почему с увеличением напряжения стабилизации растет дифференциальное сопротивление опорного диода(стабилитрона)?

увеличивается длина базы

растет высота барьера перехода

уменьшается уровень легирования базы

2. Ток экстракции диода с толстой базой при увеличении напряжения

уменьшается

растет

не изменяется

3. Ток генерации неосновных носителей заряда в областях, примыкающих к p-n переходу, называется:

тепловым током

током насыщения

током экстракции

4. Как изменится напряжения пробоя при образовании обогащенного слоя на поверхности базы диода?

уменьшится

увеличится

не изменится

5. Назовите отличительные особенности обращенных диодов в сравнении с обычными выпрямительными диодами.

отсутствует накопление заряда неосновных носителей

низкое быстродействие

диод проводит ток при обратном напряжении

6.Определите ширину запрещенной зоны ∆Э собственного полупроводника, пригодного для изготовления фотоприемников, чувствительных к излучению с длиной волны 0,6 мкм.

∆Э = 1.6 эВ

∆Э ≈ 2,1эВ

∆Э ≈ 2,4эВ

7. Как изменится эффективность эмиттера при увеличении эмиттерного тока

увеличится

уменьшится

не изменится

8. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

меньше в схеме с ОБ

одинаково

меньше в схеме с ОЭ

9. Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

f h 21э < f h 21b

f h 21э ═ f h 21b

f h 21э > f h 21b

10. Коэффициент передачи тока эмиттера может стать больше единицы

при уменьшении толщины базы

при увеличении тока эмиттера

при увеличении коллекторного напряжения

1. В какой схеме включения транзистора достигается самое низкое выходное сопротивление?

в схеме ОБ

в схеме ОЭ

в схеме ОК

2. Определите ширину запрещенной зоны ∆Э собственного полупроводника, пригодного для изготовления фотоприемников, чувствительных к излучению с длиной волны 0,6 мкм.

∆Э = 1.6 эВ

∆Э ≈ 2,1эВ

∆Э ≈ 2,4эВ

3. Как влияет барьерная емкость коллекторного перехода тиристора на напряжение включения U_ВКЛ ?

UВКЛ увеличивает

UВКЛ не изменяет

UВКЛ уменьшается

4. С уменьшением длины канала полевого транзистора его крутизна:

не изменяется

увеличивается

уменьшается

5. Определите наиболее распространенный способ соэдания инверсной населенности в полупроводниковых лазерах.?

оптическая накачка

эффекты сильного поля

инжекция носителей заряда

6. Выпрямительные свойства диода на высоких частотах ухудшаются из-за влияния…

емкости перехода

времени жизни носителей

повышения температуры

7..Добротность варикапа в области высоких частот с увеличением обратного напряжения

уменьшается

увеличивается

остается постоянной

8. В полупроводниковом диоде отношение тока генерации к току насыщения с повышением температуры

уменьшается

не изменяется

увеличивается

9. Что характеризует наклон графика распределения концентрации неосновных носителей заряда у границы p-n-перехода?

заряд носителей в базе

ток перехода

напряжение на переходе

10. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

больше в схеме с ОБ

одинаково

больше в схеме с ОЭ

1. В какой схеме включения биполярного транзистора самое высокое входное сопротивление?

ОЭ

ОК

ОБ

2. Найти значение дифференциального сопротивления перехода r _p-n при T= 293 K, если прямой ток I _пр = 10 мА.

2 Ом

2,5 Ом

3,5 Ом

3. Какой источник питания анодной цепи необходимо использовать при исследовании вольтамперной характеристики тиристора?

источник напряжения

источник тока

и тот и другой

4. Какие участки выходных характеристик полевых транзисторов (крутые или пологие) используют при работе транзисторов в схемах усилителей напряжения?

крутые

пологие

безразлично

5. Как влияют длина L и ширина W канала полевого транзистора на его крутизну S?

S ~ L / W

S ~ W / L

S ~ ( W / L ) ½

6. Чем определяется частота электромагнитных колебаний, возникающих в генераторе Ганна?

расстоянием между электродами

значением приложенного напряжения питания

электрическим полем в домене

7. Почему световая характеристика фоторезистора носит сублинейный характер?

усиливается поглощение света

возрастает отражение

уменьшается время жизни носителей и подвижность

8. В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля происходит…

линейно

параболически

экспоненциально

9. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя

уменьшается

увеличивается

не изменяется

10. В диоде с тонкой базой распределение концентрации инжектированных носителей:

линейное

параболическое

экспоненциальное

1.Значение крутизны полевого транзистора определяется соотношением

∆ IC ∕ ∆ I З

∆ IС ∕ ∆UС

∆ IС ∕ ∆ U З

2. Почему в дрейфовых транзисторах достигается более высокое быстродействие?

из-за меньшей емкости коллектора

из-за наличия внутреннего поля в базе

из-за меньшей толщины базы

3. Какие из фотоприемников могут использоваться для генерации электрической энергии при поглощении света: фоторезистор; фотоэлемент; фотодиод ?

фоторезистор

фотодиод

фотоэлемент

4. Найти значение дифференциального сопротивления перехода r _p-n при T= 293 K, если прямой ток I _пр = 10 мА.

2 Ом

2,5 Ом

3,5 Ом

5. Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетических уровней и зон на энергетической диаграмме полупроводника?

напряженностью электрического поля в полупроводнике

концентрацией примесей

концентрацией носителей заряда

6. Вычислите значение контактной разности потенциалов в германиевом p-n- переходе при температуре 293К (кТ/q ≈ 0,025 В), если n_n0 = p_po = 10¹⁷ см^-3 и n_i ≈10¹³ см^-3.

0,38 В

0,9 В

0,46 В.