- •1. Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях:
- •7. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…
- •1 .Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях:
- •9. Тиристор – это полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) выпрямляющих перехода, предназначенный для использования в схемах:
- •10.С накоплением неравновесных основных носителей в базовых областях тиристорной структуры высота барьеров p-n- переходов
- •7. В линейном p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…
- •1. Электропроводность полупроводника в сильных электрических полях:
- •7. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…
- •1. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях может возрастать:
- •5. Дифференциальное сопротивление стабилитрона при увеличении тока
- •7. При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит …
- •1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур
- •1. Электропроводность полупроводника в сильных электрических полях:
9. Тиристор – это полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) выпрямляющих перехода, предназначенный для использования в схемах:
усиления |
стабилизации |
переключения |
10. Спектральная характеристика фоторезистора имеет спад при малых длинах волн излучения…
из-за увеличения поглощения света вблизи поверхности |
из-за усиления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей |
по двум указанным причинам |
1. Высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях…
не изменяется |
увеличивается |
уменьшается |
2. Электропроводность полупроводника обусловлена донорными и акцепторными примесями с одинаковой концентрацией . Полупроводник называют:
вырожденным |
скомпенсированным |
собственным |
3.При обратном смещении p-n – перехода широкозонных полупроводников преобладает… составляющая тока.
генерационная |
рекомбинационная |
диффузионная |
4. При прямом смещении p-n – перехода направление внешнего и внутреннего поля в переходе...
совпадают |
противоположны |
не имеет значения |
5. В кремниевых p-n – переходах преобладает… пробой
тепловой |
лавинный |
туннельный |
6 . Какой вид емкости p-n – перехода используется в варикапах?
диффузионная |
барьерная |
емкость корпуса |
7. Для усиления электрических сигналов используется…режим работы биполярных транзисторов
активный |
насыщения |
отсечки |
8. Модуль коэффициента передачи тока транзистора уменьшается в √ 2 раз на частоте:
граничной - f T |
предельной - f h 21 |
генерации - f max |
9. МДП- транзистор с встроенным каналом в схемах усиления чаще используется:
в режиме обеднения |
в режиме обогащения |
в обоих режимах |
10. Наименьшее время выключения диодного тиристора достигается :
при отключении цепи питания |
при изменении полярности анодного напряжения |
при коротком замыкании тиристора |
1. Диффузионный ток в полупроводнике протекает:
при наличии градиента концентрации носителей |
при существовании электрического поля |
при повышении температуры |
2. Подвижность носителей заряда в полупроводниках с увеличением температуры
увеличивается |
уменьшается |
увеличивается и уменьшается |
3. С увеличением ширины запрещенной зоны полупроводника контактная разность потенциалов p-n – перехода
не изменяется |
возрастает |
уменьшается |
4.Напряжение лавинного пробоя диода при увеличении температуры?
не изменится |
возрастет |
уменьшится |
5. Дифференциальное сопротивление стабилитрона при увеличении тока?
увеличится |
не изменится |
уменьшится |
6. Коэффициент перекрытия по емкости K с больше… p-n – переходах.
в резких |
в плавных |
в диффузионных |
7. Для увеличения эффективности эмиттера отношение концентрации примесей в эмиттере и в базе следует
уменьшить |
увеличить |
оставить без изменения |
8. Самое низкое входное сопротивление в схеме включения транзистора
с общим эмиттером |
с общей базой |
с общим коллектором |
9. Наиболее важной особенностью полевого транзистора является …
повышенное быстродействие |
лучшие усилительные свойства |
большое входное сопротивление |