1.Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…

рассеиванием на ионизированных примесях

рассеиванием на тепловых колебаниях решетки

рассеиванием на подвижных носителях

2. С увеличением температуры уровень Ферми полупроводника смещается …

к краю зоны проводимости

к краю валентной зоны

к середине запрещенной зоны

3. С увеличением энергии фотонов поглощение переходит от…

поглощения носителями к собственному поглощению

от собственного поглощения к примесному

от примесного к поглощению носителями

4. Распределение концентрация неосновных носителей в базе диода в неравновесном состоянии: линейно (а), экспоненциально (б). Определить длину базы диода.

длинная база – (б)

короткая база -(а)

длинная база – (а)

5.. В какой области p-n-перехода концентрируется электрическое поле?

в высокоомной

в низкоомной

в нейтральной

6. Как изменится высота барьера в p-n- переходе при увеличении температуры?

уменьшится

увеличится

не изменится

7.При большом уровне инжекции сопротивление базы диода…

увеличится

уменьшится

останется без изменения

8. Во сколько раз изменится барьерная емкость плавного p-n перехода при увеличении обратного напряжения от 10 до 80В?

в 2 раза.

в 3 раза

в 4 раза

9. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя p-n- перехода

уменьшается

увеличивается

не изменяется

10.Транзисторы IGBT предназначены для использования в схемах:

усиления

генерации

переключения

1 .Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях:

не изменяется

возрастает

уменьшается

2. Высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением температуры

не изменяется

увеличивается

уменьшается

3. При прямом смещении p-n – перехода широкозонных полупроводников преобладает……составляющая тока.

генерационная

рекомбинационная

диффузионная

4. Толщина резкого и плавного p-n – переходов при увеличении обратного напряжения

не изменяется

уменьшается

возрастает

5. Процессы накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода….. его быстродействие?

уменьшают

увеличивают

не влияют

6. При увеличении сопротивления базовой области диода, прямое падение напряжение на диоде…

не изменяется

увеличивается

уменьшается

7. Наибольшее усиление тока достигается в схеме включения транзистора…

ОБ

ОЭ

ОК

8. Активный режим работы n-p-n – транзистора в схеме с ОБ обеспечивается при напряжениях на переходах:

UЭБ › 0; U КБ › 0.

UЭБ › 0; U КБ < 0.

U ЭБ < 0; U КБ › 0.