5. Дифференциальное сопротивление стабилитрона при увеличении тока

увеличивается

не изменяется

уменьшается

6. В каких p-n – переходах коэффициент перекрытия по емкости K _с больше?

в резких

в плавных

в диффузионных

7. Чтобы увеличить эффективность эмиттера нужно отношение концентрации примесей в эмиттере и в базе

уменьшить

увеличить!

оставить без изменения

8. В какой схеме включения транзистора самое низкое входное сопротивление?

с общим эмиттером

с общей базой

с общим коллектором

9. Наиболее важной особенностью полевого транзистора является …

повышенное быстродействие

лучшие усилительные свойства

большое входное сопротивление

10. Как влияет накопление неравновесных основных носителей в базовых областях тиристорной структуры на высоту барьеров p-n- переходов?

не влияет

барьеры увеличиваются

барьеры уменьшаются

1. Что определяет линейный участок наклона логарифмической температурной зависимости электропроводности полупроводника?

ширину запрещенной зоны полупроводника

энергию активации атомов примеси

и то, и другое

2. Пробивное напряжение диода увеличивается с ростом температуры, если пробой носит ….. характер.

лавинный

туннельный

тепловой

3. В каких p-n – переходах приложенное напряжение сильнее влияет на толщину p-n – перехода?

в плавных

в резких

не влияет

4. Как изменяется граничная концентрация носителей заряда при обратном / прямом напряжении на переходе?

увеличивается / уменьшается

уменьшается / увеличивается

не изменяется

5. В каких схемах включения транзисторов лучше частотные и переключающие свойства?

с ОБ

с ОЭ

с ОК

6. Какие режимы работы транзисторов являются основными в схемах транзисторных ключей?

активный

насыщения

отсечки

7. Для каких уровней сигналов используется схема замещения Эберса - Молла?

для малых

для больших

для средних

8. Как можно осуществить электрическое включение диодного тиристора?

плавным увеличением анодного напряжения

быстрым увеличением анодного напряжения

тем и другим способом

9. Принцип действия прибора с зарядовой связью основан на…

управлении переносом пакета неосновных носителей заряда в полупроводнике

коммутации напряжения в цепи нагрузки

генерации фото-ЭДС при освещении матрицы фотоэлементов

10. Транзисторы Шотки отличаются от биполярных транзисторов:

пробивным напряжением

быстродействием

усилительными свойствами

1. Ток экстракции в p-n переходе от концентрации собственных носителей зависит:

не зависит

линейно

квадратичная зависимость

2. В диоде с тонкой базой, при увеличении обратного напряжения, ток насыщения …

увеличивается

уменьшается

не изменяется

3. Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетических уровней и зон на энергетической диаграмме полупроводника?

напряженностью электрического поля в полупроводнике

концентрацией примесей

концентрацией носителей заряда

4.. Обычная толщина области объемного заряда p-n перехода составляет

10 - 5см

10 – 4см

10 – 6 см

5. Как изменяется подвижность носителей с увеличением концентрации примесей?

растет

не изменяется

уменьшается

6. Какие структуры диодов: сплавные, диффузионные, эпитаксиально – планарные широко используются в микроэлектронике?

сплавные

эпитаксиально – планарные

диффузионные

7. Как влияет увеличение температуры на прямой и обратный токи диода?

токи уменьшаются

токи возрастают!

прямой ток растет, а обратный ток уменьшается□

8. Какие составляющие тока преобладают при обратном смещении германиевых диодов , кремниевых диодов, диодов Шоттки : а) ток тепловой; б) ток генерации; в) ток термоэлектронной эмиссии

Ge

Si

ДШ

9..Выпрямительные свойства диодов с увеличением частоты ?

улучшаются

не изменяются

ухудшаются

10. С увеличением температуры на пробивное напряжение диода возрастает, при

туннельном пробое

теплововом пробое

лавинном пробое

1. С увеличением уровня легирования напряжение лавинного пробоя…

уменьшается

увеличивается

не изменяется

2. Какой вид емкости диода связан с изменением заряда инжектированных носителей?

зарядовая

барьерная

диффузионная

3. Как изменяется концентрация инжектированных неосновных носителей по мере удаления от границы p-n перехода в диоде с тонкой базой?

линейно

экспоненциально

не изменяется

_{4. Определите низкий, средний и высокий уровни инжекции в несимметричном p-n переходе диода: ∆ pn « nn 0 (а); Δ pn » nn0 (б); Δ pn ≈ nn0 (в);}

низкий (а)

средний (в)

высокий (б)

5. Пробивное напряжение резких несимметричных переходов определяется удельным сопротивлением

низкоомной области

высокоомной области

не зависит от уд. сопротивл.

6. Какая из составляющих обратного тока преобладает в кремниевых диодах?

ток насыщения

ток экстракции

ток генерации

7. Определите, о каком режиме работы диода и размерах его базы идет речь, если: - ток неосновных носителей в базе остается постоянным;- в области базы возникает электрическое поле; - сопротивление базы зависит от тока.

диод с тонкой базой и низким уровнем инжекции

диод с толстой базой и высоким уровнем инжекции

диод с тонкой базой и высоким уровнем инжекции

8. Генерационный ток в диоде вызывается генерацией носителей:

в p- n переходе

в прилегающих областях

в омическом контакте

9. В туннельных диодах используются полупроводники:

слабо легированные

вырожденные

собственные

10. При каких работах выхода металла и n – полупроводника образуется выпрямляющий контакт?

A ме › A пп

A ме ‹ A пп

A ме ~ A пп

1. Почему с увеличением напряжения стабилизации растет дифференциальное сопротивление опорного диода(стабилитрона)?

увеличивается длина базы

растет высота барьера перехода

уменьшается уровень легирования базы

2. Ток экстракции диода с толстой базой при увеличении напряжения

уменьшается

растет

не изменяется

3. Ток генерации неосновных носителей заряда в областях, примыкающих к p-n переходу, называется:

тепловым током

током насыщения

током экстракции

4. Как изменится напряжения пробоя при образовании обогащенного слоя на поверхности базы диода?

уменьшится

увеличится

не изменится

5. Назовите отличительные особенности обращенных диодов в сравнении с обычными выпрямительными диодами.

отсутствует накопление заряда неосновных носителей

низкое быстродействие

при обратном напряжении диод проводит ток, при прямом – не проводит

6.Определите ширину запрещенной зоны ∆Э собственного полупроводника, пригодного для изготовления фотоприемников, чувствительных к излучению с длиной волны 0,6 мкм.

∆Э = 1.6 эВ

∆Э ≈ 2,1эВ

∆Э ≈ 2,4эВ

7. Как изменится эффективность эмиттера при увеличении эмиттерного тока

увеличится

уменьшится

не изменится

8. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

больше в схеме с ОБ

одинаково

меньше в схеме с ОЭ

9. Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

f h 21э < f h 21b

f h 21э ═ f h 21b

f h 21э > f h 21b

10. Коэффициент передачи тока эмиттера может стать больше единицы

при уменьшении толщины базы

при увеличении тока эмиттера

при увеличении коллекторного напряжения

1. В какой схеме включения транзистора достигается самое низкое выходное сопротивление?

в схеме ОБ

в схеме ОЭ

в схеме ОК

2. Определите ширину запрещенной зоны ∆Э собственного полупроводника, пригодного для изготовления фотоприемников, чувствительных к излучению с длиной волны 0,6 мкм.

∆Э = 1.6 эВ

∆Э ≈ 2,1эВ

∆Э ≈ 2,4эВ

3. Как влияет барьерная емкость коллекторного перехода тиристора на напряжение включения U_ВКЛ ?

UВКЛ увеличивает

UВКЛ не изменяет

UВКЛ уменьшается

4. С уменьшением длины канала полевого транзистора его крутизна:

не изменяется

увеличивается

уменьшается

5. Определите наиболее распространенный способ соэдания инверсной населенности в полупроводниках.?

оптическая накачка

эффекты сильного поля

инжекция носителей заряда

6. Почему ухудшаются выпрямительные свойства диода на высоких частотах?

емкость перехода

время жизни носителей

повышение температуры

7..Вольтовая чувствительность магнитодиодов............вольтовой чувствительности преобразователей Холла

равна

больше

меньше

8. В полупроводниковом диоде отношение тока генерации к току насыщения с повышением температуры

уменьшается

не изменяется

увеличивается

9. Самой высокой фоточувствительностью характеризуется: а – фотодиод; б - фоторезистор; в – фототранзистор..

10. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

больше в схеме с ОБ

одинаково

больше в схеме с ОЭ

1. В какой схеме включения транзистора самое высокое входное сопротивление?

ОЭ

ОК

ОБ

2. Найти значение дифференциального сопротивления перехода r _p-n при T= 293 K, если прямой ток I _пр = 10 мА.

2 Ом

2,5 Ом

3,5 Ом

3. Какой источник питания анодной цепи необходимо использовать при исследовании вольтамперной характеристики тиристора?

источник напряжения

источник тока

и тот и другой

4. Какие участки выходных характеристик полевых транзисторов (крутые или пологие) используют при работе транзисторов в схемах усилителей напряжения?

крутые

пологие

безразлично

5. Как влияют длина L и ширина W канала полевого транзистора на его крутизну S?

S ~ L / W

S ~ W / L

S ~ ( W / L ) ½

6. Чем определяется частота электромагнитных колебаний, возникающих в генераторе Ганна?

расстоянием между электродами

значением приложенного напряжения питания

электрическим полем в домене

7. Почему световая характеристика фоторезистора носит сублинейный характер?

усиливается поглощение света

возрастает отражение

уменьшается время жизни носителей и подвижность

8. В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля происходит…

линейно

параболически

экспоненциально

9. С увеличением уровня легирования напряжение лавинного пробоя p-n- перехода

уменьшается

увеличивается

не изменяется

10.. С возрастанием скорости изменения анодного напряжения тиристора напряжение включения

уменьшается

увеличивается

не изменяется

1. Верхний предел тактовой частоты прибора с зарядовой связью определяется :

амплитудой напряжения между ячейками

тепловой генерацией носителей

временем передачи заряда между соседними ячейками

2. Почему в дрейфовых транзисторах достигается более высокое быстродействие?

из-за меньшей емкости коллектора

из-за наличия внутреннего поля в базе

из-за меньшей толщины базы

3. Какие из фотоприемников могут использоваться для генерации электрической энергии при поглощении света: фоторезистор; фотоэлемент; фотодиод?

фоторезистор

фотодиод

фотоэлемент

4. Найти значение дифференциального сопротивления перехода r _p-n при T= 293 K, если прямой ток I _пр = 10 мА.

2 Ом

2,5 Ом

3,5 Ом

5. Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетических уровней и зон на энергетической диаграмме полупроводника?

напряженностью электрического поля в полупроводнике

концентрацией примесей

концентрацией носителей заряда

6. Определите значение контактной разности потенциалов в германиевом p-n- переходе при температуре 293К (кТ/q ≈ 0,025 В), если n_n0 = p_po = 10¹⁷ см^-3 и n_i ≈10¹³ см^-3.

0,38 В

0,9 В

0,46 В.