Контрольные вопросы по твердотельной электронике 55:

1. Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях:

не изменяется

.возрастает

уменьшается

2. Как изменяется высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением температуры?

не изменяется

увеличивается

уменьшается

3. Какая составляющая тока преобладает при прямом смещении p-n – перехода?

тепловая

рекомбинационная

диффузионная

4. Как изменяется ширина области объемного заряда резкого и плавного p-n – переходов при увеличении обратного напряжения?

не изменяется

уменьшается

возрастает

5. Как процессы накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода, а также барьерная емкость влияют на его быстродействие?

уменьшают

увеличивают

не влияют

6. Как влияет сопротивление базовой области диода на прямое падение напряжения диода?

не влияет

увеличивает

уменьшает

7. В какой схеме включения транзисторов достигается наибольшее усиление тока?

ОБ

ОЭ

одинаковое

8. При каких напряжениях на переходах обеспечивается активный режим работы n-p-n – транзистора в схеме с ОБ?

UЭБ › 0; U КБ › 0.

UЭБ › 0; U КБ < 0.

U ЭБ < 0; U КБ › 0.

9. Тиристор – это полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) выпрямляющих перехода, предназначенный для использования в схемах:

усиления

стабилизации

переключения

10. Почему спектральная характеристика фоторезистора имеет спад при малых длинах волн излучения?

из-за увеличения поглощения света вблизи поверхности

из-за усиления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей

по двум указанным причинам

1. Как изменяется высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением концентрации примесей?

не изменяется

увеличивается

уменьшается

2. Электропроводность полупроводника обусловлена донорными и акцепторными примесями с одинаковой концентрацией. Полупроводник называют:

вырожденным

скомпенсированным

собственным

3. Какая составляющая тока преобладает в широкозонных полупроводниках при обратном смещении p-n – перехода?

генерационная

рекомбинационная

диффузионная

4. При прямом смещении p-n – перехода направление внешнего поля и поля контактной разности потенциалов...

совпадают

противоположны

не имеет значения

5. Какой вид пробоя преобладает в кремниевых p-n – переходах?

тепловой

лавинный

туннельный

6 . Какой вид емкости p-n – перехода используется в варикапах?

диффузионная

барьерная

емкость корпуса

7. В каком режиме работы биполярного транзистора происходит усиление электрических сигналов?

активном

насыщения

отсечки

8. На какой частоте модуль коэффициента передачи тока транзистора ‌ ‌‌ уменьшается в √ 2 раз по сравнению с его значением на низких частотах?

граничная частота f T

предельная частота f h 21

максимальная частота гене- рации f max

9. МДП- транзистор с встроенным каналом в схемах усиления чаще используется:

в режиме обеднения

в режиме обогащения

в обоих режимах

10. При каком способе выключения диодного тиристора достигается меньшее время выключения?

при отключении цепи питания

при изменении полярности анодного напряжения

при коротком замыкании тиристора

1. При каких условиях в полупроводнике протекает диффузионный ток?

при наличии градиента концентрации носителей

при существовании электрического поля

при повышении температуры

2. Как зависит подвижность носителей заряда в полупроводниках с ростом температуры?

увеличивается

уменьшается

увеличивается и уменьшается при наличии примесей

3. Как влияет увеличение ширины запрещенной зоны полупроводника на контактную разность потенциалов p-n – перехода?

не влияет

возрастает

уменьшается

4.Как изменится напряжение лавинного пробоя диода при увеличении температуры?

не изменится

возрастет

уменьшится

5. Как изменится дифференциальное сопротивление стабилитрона при увеличении тока?

увеличится

не изменится

уменьшится

6. В каких p-n – переходах коэффициент перекрытия по емкости K _с больше?

в резких

в плавных

в диффузионных

7. Чтобы увеличить эффективность эмиттера нужно отношение концентрации примесей в эмиттере к концентрации примеси в базе

уменьшить

увеличить

оставить без изменения

8. В какой схеме включения транзистора самое низкое входное сопротивление?

с общим эмиттером

с общей базой

с общим коллектором

9. Наиболее важной особенностью полевого транзистора является …

повышенное быстродействие

лучшие усилительные свойства

большое входное сопротивление

10. Как влияет накопление неравновесных основных носителей в базовых областях тиристорной структуры на высоту барьеров p-n- переходов?

не влияет

барьеры увеличиваются

барьеры уменьшаются

1. Что характеризует наклонный участок логарифмической зависимости электропроводности полупроводника при высоких температурах?

изменение удельной проводимости

ширину запрещенной зоны полупроводника

изменение концентрации примеси

2. Пробивное напряжение диода увеличивается с ростом температуры, если пробой носит ….. характер.

лавинный

туннельный

тепловой

3. В каких p-n – переходах приложенное напряжение сильнее влияет на толщину p-n – перехода?

в плавных

в резких

не влияет

4. Как изменяется граничная концентрация носителей заряда при обратном / прямом напряжении на переходе?

увеличивается / уменьшается

уменьшается / увеличивается

не изменяется

5. В каких схемах включения транзисторов лучше частотные и переключающие свойства?

с ОБ

с ОЭ

с ОК

6. Какие режимы работы транзисторов являются основными в схемах транзисторных ключей?

активный

насыщения

отсечки

7. Для каких уровней сигналов используется схема замещения Эберса – Молла и Гуммеля-Пуна?

для малых

для больших

для средних

8. Как можно осуществить электрическое включение диодного тиристора?

плавным увеличением анодного напряжения

быстрым увеличением анодного напряжения

тем и другим способом

9. С возрастанием температуры уровень Ферми в полупроводниках смещается…

к краю валентной зоны

к середине запрещенной зоны

к краю зоны проводимости

10. Почему транзисторы с диодом Шотки в цепи коллектор-база характеризуются повышенным быстродействием?

отсутствует инжекция в коллекторном переходе

уменьшается барьерная емкость коллектора

уменьшается время рассасывания

1. Как зависит обратный ток p-n перехода от собственной концентрации?

не зависит

линейно

квадратичная зависимость

2. В диоде с тонкой базой , при увеличении обратного напряжения, ток насыщения …

увеличивается

уменьшается

не изменяется

3. Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетических уровней и зон на энергетической диаграмме полупроводника?

напряженностью электрического поля в полупроводнике

концентрацией примесей

концентрацией носителей заряда

4.. Обычная толщина области объемного заряда p-n перехода составляет

10 - 5см

10 – 4см

10 – 6 см

5. Как изменяется подвижность носителей с увеличением концентрации примесей?

растет

не изменяется

уменьшается

6. Какие структуры диодов: сплавные, диффузионные, эпитаксиально – планарные широко используются в микроэлектронике?

сплавные

эпитаксиально – планарные

диффузионные

7. Как влияет увеличение температуры на прямой и обратный токи диода?

токи уменьшаются

токи возрастают

прямой ток растет, а обратный ток уменьшается

8. Какие составляющие тока преобладают при обратном смещении Ge- диодов , Si- диодов, диодов Шоттки : а) ток тепловой; б) ток генерации; в) ток термоэлектронной эмиссии

Ge

Si

ДШ

9..Выпрямительные свойства диодов с увеличением частоты ?

улучшаются

не изменяются

ухудшаются

10.С увеличением температуры на пробивное напряжение диода возрастает, при

туннельном пробое

тепловом пробое

лавинном пробое

1. С увеличением уровня легирования напряжение лавинного пробоя…

уменьшается

увеличивается

не изменяется

2. Какой вид емкости диода связан с изменением заряда инжектированных носителей?

зарядовая

барьерная

диффузионная

3. Как изменяется концентрация инжектированных неосновных носителей по мере удаления от границы p-n перехода в диоде с тонкой базой?

линейно

экспоненциально

не изменяется

_{4. Определите низкий, средний и высокий уровни инжекции в несимметричном p-n переходе диода: ∆ pn « nn 0 (а); Δ pn » nn0 (б); Δ pn ≈ nn0 (в);}

низкий

средний

высокий

5. Пробивное напряжение резких несимметричных переходов определяется удельным сопротивлением

низкоомной области

высокоомной области

не зависит от уд. сопротивл.

6. Какая из составляющих обратного тока преобладает в кремниевых диодах?

ток насыщения

ток экстракции

ток генерации

7. Определите, о каком режиме работы диода и размерах его базы идет речь, если: - ток неосновных носителей в базе остается постоянным;- в области базы возникает электрическое поле; - сопротивление базы зависит от тока.

диод с тонкой базой и низким уровнем инжекции

диод с толстой базой и высоким уровнем инжекции

диод с тонкой базой и высоким уровнем инжекции

8. Генерационный ток в диоде вызывается генерацией носителей:

в обедненной области

в квазинейтральной области

в омическом контакте

9. В туннельных диодах используются полупроводники:

слабо легированные

вырожденные

собственные

10. При каких работах выхода металла и n – полупроводника образуется выпрямляющий контакт?

A ме › A пп

A ме ‹ A пп

A ме ~ A пп

1. Почему с увеличением напряжения стабилизации растет дифференциальное сопротивление опорного диода(стабилитрона)?

увеличивается длина базы

растет высота барьера перехода

уменьшается уровень легирования базы

2. Ток экстракции диода с толстой базой при увеличении напряжения

уменьшается

растет

не изменяется

3. Ток генерации неосновных носителей заряда в областях, примыкающих к p-n переходу, называется:

тепловым током

током насыщения

током экстракции

4. Как изменится напряжения пробоя при образовании обогащенного слоя на поверхности базы диода?

уменьшится

увеличится

не изменится

5. Назовите отличительные особенности обращенных диодов в сравнении с обычными выпрямительными диодами.

отсутствует накопление заряда неосновных носителей

низкое быстродействие

при обратном напряжении диод проводит ток, при прямом – не проводит

6.Определите ширину запрещенной зоны ∆Э собственного полупроводника, пригодного для изготовления фотоприемников, чувствительных к излучению с длиной волны 0,6 мкм.

∆Э = 1.6 эВ

∆Э ≈ 2,1эВ

∆Э ≈ 2,4эВ

7. Как изменится эффективность эмиттера при увеличении эмиттерного тока

увеличится

уменьшится

не изменится

8. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

больше в схеме с ОБ

одинаково

больше в схеме с ОЭ

9. Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов ОБ и ОЭ

f h 21э < f h 21b

f h 21э ═ f h 21b

f h 21э > f h 21b

10. Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме ОБ может стать больше единицы

при уменьшении толщины базы

при увеличении тока эмиттера

при увеличении коллекторного напряжения

1. В какой схеме включения транзистора достигается самое низкое выходное сопротивление?

в схеме ОБ

в схеме ОЭ

в схеме ОК

2. Определите ширину запрещенной зоны ∆Э собственного полупроводника, пригодного для изготовления фотоприемников, чувствительных к излучению с длиной волны 0,6 мкм.

∆Э = 1.6 эВ

∆Э ≈ 2,1эВ

∆Э ≈ 2,4эВ

3. Как влияет барьерная емкость коллекторного перехода тиристора на напряжение включения U_ВКЛ ?

UВКЛ увеличивает

UВКЛ не изменяет

UВКЛ уменьшается

4. С уменьшением длины канала полевого транзистора его крутизна:

не изменяется

увеличивается

уменьшается

5. Определите наиболее распространенный способ соэдания инверсной населенности в полупроводниках.?

оптическая накачка

эффекты сильного поля

инжекция носителей заряда

6. Почему ухудшаются выпрямительные свойства диода на высоких частотах?

емкость перехода

время жизни носителей

повышение температуры

7..Вольтовая чувствительность магнитодиодов............вольтовой чувствительности преобразователей Холла

равна

больше

меньше

8. В полупроводниковом диоде отношение тока генерации к току насыщения с повышением температуры

уменьшается

не изменяется

увеличивается

9.С увеличением температуры ширина запрещенной зоны полупроводника

растет

уменьшается

не изменяется

10. Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

меньше в схеме с ОБ

одинаково

меньше в схеме с ОЭ

1. В какой схеме включения транзистора самое высокое входное сопротивление?

ОЭ

ОК

ОБ

2. Найти значение дифференциального сопротивления перехода r _p-n при T= 293 K, если прямой ток I _пр = 10 мА.

2 Ом

2,5 Ом

3,5 Ом

3. Какой источник питания анодной цепи необходимо использовать при исследовании вольтамперной характеристики тиристора?

источник напряжения

источник тока

и тот и другой

4. Какие участки выходных характеристик полевых транзисторов (крутые или пологие) используют при работе транзисторов в схемах усилителей напряжения?

крутые

пологие

безразлично

5. Как влияют длина L и ширина W канала полевого транзистора на его крутизну S?

S ~ L / W

S ~ W / L

S ~ ( W / L ) ½

6. Чем определяется частота электромагнитных колебаний, возникающих в генераторе Ганна?

расстоянием между электродами

значением приложенного напряжения питания

электрическим полем в домене

7. Почему световая характеристика фоторезистора носит сублинейный характер?

усиливается поглощение света

возрастает отражение

уменьшается время жизни носителей и подвижность

8. В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля происходит…

линейно

параболически

экспоненциально

9. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя

уменьшается

увеличивается

не изменяется

10.. Как изменится граничная концентрация неосновных носителей заряда в базе около эмиттерного перехода, если прямое напряжение на переходе увеличится от 0,225 до 0,25 В ?

в 1,8 раза

в 2,7 раза

В 3,2 раза

1.. С увеличением уровня лег ирования напряжение лавинного пробоя

уменьшается

увеличивается

не изменяется

2. Почему в дрейфовых транзисторах достигается более высокое быстродействие?

из-за меньшей емкости коллектора

из-за наличия внутреннего поля в базе

из-за меньшей толщины базы

3. Какие из фотоприемников могут использоваться для генерации электрической энергии при поглощении света: фоторезистор; фотоэлемент; фотодиод ?

фоторезистор

фотодиод

фотоэлемент

4. Найти значение дифференциального сопротивления перехода r _p-n при T= 293 K, если прямой ток I _пр = 10 мА.

2 Ом

2,5 Ом

3,5 Ом

5. Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетических уровней и зон на энергетической диаграмме полупроводника?

напряженностью электрического поля в полупроводнике

концентрацией примесей

концентрацией носителей заряда

6. Вычислите значение контактной разности потенциалов в Si переходе при температуре 300К (кТ/q ≈ 0,025 В), если n_n0 = p_po = 10¹⁷ см^-3 и n_i ═1,5.10¹⁰ см^-3.

0,38 В

0,9 В

0,46 В.