Для второго полупроводника ( ):

, мм	, МОм	, мкСм	, мкСм
0,01	15,622	0,064012	0,000196	0,0025
0,02	2,220	0,45045	0,386634	0,005
0,03	0,849	1,177856	1,11404	0,0075
0,05	0,211	4,739336	4,67552	0,0125
0,1	0,059	16,94915	16,88534	0,025
0,2	0,023	43,47826	43,41444	0,05
0,3	0,016	62,5	62,43618	0,075
0,5	0,010	100	99,93618	0,125
1	0,006	166,6667	166,6029	0,25
2	0,004	250	249,9362	0,5
4	0,004	250	249,9362	1

5. Построим световую характеристику полупроводников:

Для первого полупроводника ( :

Рис. 3

Для второго полупроводника ( ):

Рис. 4

ВЫВОД

В ходе данной лабораторной работы были получены значения, на основании которых были рассчитаны: проводимости , _{, и} для обоих полупроводников (CdS и CdSe). Также была определена красная граница фоторезистивного эффекта , принятая равной λ_1/2, при которой фотопроводимость равна половине ее значения при λ_max: для CdS - = 550 [нм], для CdSe - = 590 [нм]. Данные значения говорят о максимальной длине волны света, при которой еще будет наблюдаться повышение проводимости. Анализируя графики (рис. 1 и рис. 2), следует заметить, что для данных материалов характерна примесная фотопроводимость. Также определена энергия активации фотопроводимости: для CdS - △Э₁ = 2,23 [эВ], для CdSe - △Э₁ = 2,11 [эВ]. При этом, сравнивая полученные значения △Э с табличными, а именно: справочное значение для CdS: = 2,42 [эВ], расчетное – 2,23 [эВ]; справочное значение для CdSe: = 1,74 [эВ], расчетное – 2,11 [эВ], делаем вывод о том, что значения имеют различия с табличными, что говорит о погрешности в ходе проведения работы. Также, анализируя график зависимости фотопроводимости от интенсивности, можно сказать следующее: при увеличении уровня облучения увеличивается и значение фотопроводимости, опираясь на график, можно заметить, что при слабых значениях светового потока фотопроводимость имеет относительно линейный характер, но при повышении интенсивности света рост фотопроводимости замедляется в результате усиления процесса рекомбинации.