Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
Кафедра электронной техники и технологии
Вариант № 17
Контрольная работа №2
По дисциплине
«Программно-управляемое технологическое оборудование»
Выполнил: с-т группы 990241
Тарасевич Е.А.
Проверил: ст. преподаватель кафедры ЭТТ
Телеш Е.В.
Минск 2024
Содержание
1. Оборудование для плазмохимического осаждения покрытий …......…...….3
2. Оборудование для контроля герметичности корпусов ИС……………...…. 5
3.Требования к сверхчистой воде………………..………………………..……13
Список использованных источников……………………..…………………….17
1.Оборудование для плазмохимического осаждения покрытий
Плазмохимическое осаждение – процесс химического осаждения тонких плёнок из паровой фазы при низком давлении с использованием высокочастотной плазмы.
Плазмохимическое осаждение позволяет формировать пленки диоксида и нитрида кремния при очень низких температурах (100 – 350 °С). Это достигается за счет того, что основное количество энергии, необходимой для протекания химических реакций в парогазовой фазе, поступает из плазмы тлеющего разряда.
Пример конструкции установки плазмохимического осаждения пленок приведен на рисунке.
Рисунок 1.1. – Конструкции установки
плазмохимического осаждения
Подложкодержатели снабжены нагревателями, обеспечивающими поддержание температуры подложек в диапазоне 100 – 400 ºС. Одновременно они являются нижним заземленным электродом. Высокочастотный сигнал от генератора подается на верхний электрод и создает тлеющий разряд. Газовый поток протекает через камеру в радиальных направлениях: от периферии к центру (как показано на рисунке), или, наоборот – от центра к периферии.
Как отмечалось выше, низкие температуры процесса позволяют осаждать диэлектрические пленки на поверхность полностью сформированных интегральных схем для их пассивации. Кроме того, плазмохимический метод используют для осуществления межслоевой изоляции при многоуровневой металлизации. Наиболее рационально его применение в случае, когда нижний уровень металлизации выполнен из легкоплавких металлов (алюминия, золота). Скорость роста пленок нитрида кремния составляет около 30 нм/мин.
С другой стороны, низкие температуры обуславливают и основные недостатки пленок, получаемых плазмохимическим методом. Из-за малой подвижности осаждаемых частиц на подложке качество пленок получается существенно хуже, чем при других методах осаждения. По той же причине пленки плохо воспроизводят рельеф поверхности подложки. Химический состав пленок отличается от стехиометрического. Фактически, вместо пленки Si3N4 формируется пленка состава SixNy. [1]
Рисунок 1.2. – устройство lasmaPro 100
lasmaPro 100 – современная многофункциональная платформа для процессов плазмохимического травления и осаждения. В зависимости от требуемых технологических параметров, установка может оснащаться несколькими модификациями электродов и источниками индуктивно-связанной плазмы различных диаметров. Установка идеально подходит для применения в производстве МЭМС, HBLED, сенсоров, силовых полупроводниковых приборов, используется для задач реверсивной инженерии и анализа отказов. В установке применяется электрод диаметром 240 мм, на котором может быть размещена подложка диаметром от 50 мм до 200 мм. Подложки небольших размеров могут загружаться в камеру на носителе. Основной технологический модуль систем серии PlasmaPro 100 совместим с технологическими модулями, отвечающими стандарту MESC. В базовом исполнении модуль оснащается вакуумным шлюзом для загрузки подложек, опционально может оснащаться кассетной загрузкой и использоваться в составе кластерной системы в комбинации с модулями PlasmaPro100,FlexAl,Ionfab,Nanofab. На платформе PlasmaPro 100 реализуется весь ряд технологических процессов плазмохимического травления и осаждения.
Система на платформе PlasmaPro 100 выпускается в различных вариантах исполнения: Плазмохимическое осаждение (ПХО, PECVD и PECVD-CVD) конфигурация применяется для осаждения высококачественных слоев SiO2, Si3N4,SiOxNy,SiC,α-Si. Плазмохимическое осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы(ICP,CVD) конфигурация применяется для получения высококачественных слоев SiO2, Si3N4, SiOxNy, SiC, α-Si при низких температурах осаждения. [2]