Лабы / 4_lb_elektronika (1)
.pdf
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральноегосударственноеавтономноеобразовательноеучреждениевысшегообразования
«НАЦИОНАЛЬНЫЙИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙТОМСКИЙПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙУНИВЕРСИТЕТ»
Инженерная школа энергетики Отделение электроэнергетики и электротехники
Направление: 13.03.02 Электроэнергетика и электротехника
ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4 по дисциплине:
Электроника 1.1
Выполнил: |
|
|
студенты гр. 5А06 |
Сергеев Алексей Сергеевич |
28.10.2022 |
|
||
|
Арефьев Александр Владимирович |
|
Проверил: |
|
|
К.т.н. |
Тимошкин В.В.. |
|
Томск – 2022
Цель работы: Экспериментально установить различные классы усиления биполярного транзистора. Определить оптимальную точку покоя и максимальную амплитуду неискажённого выходного сигнала, а также минимальную амплитуду входного напряжения, при которой транзистор переходит в режим насыщения.
Рис. 1 Схема включения (а) и характеристики (б) транзистора по схеме с общим эмиттером
Порядок работы
Опыт №1. Исследование усилителя класса А
Рис. 2 Схема
Рис. 3 Класс А
Опыт №2. Исследование усилителя класса В
Таблица 1
Класс |
IБ0 |
IК0 |
UКЭ0 |
UВХмакс |
UВЫХ |
KU |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
мА |
мА |
В |
|
В |
В |
- |
А |
0,8 |
23.1 |
6 |
5.5 ∙ 10−3 |
4,2 |
760 |
|
В |
0,06 |
0.02 |
15 |
200 |
∙ 10−3 |
15 |
75 |
D(~ ) |
0,26 |
18,3 |
|
500 |
∙ 10−3 |
5 |
10 |
Рис. 4 Класс В постоянное напряжение
Рис. 5 Класс В
Опыт №3. Исследование усилителя класса D
Umin прямоуг = 200 ∙ 10−3(В)
= |
ВЫХмакс |
= |
4,2 |
|
|
= 760 |
||||
|
|
|
|
−3 |
||||||
|
|
ВХмакс |
5,5 ∙ 10 |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
= |
|
ВЫХмакс |
= |
15 |
|
|
|
= 75 |
||
|
|
|
|
|
−3 |
|||||
|
|
ВХмакс |
|
200 ∙ 10 |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
= |
|
ВЫХмакс |
= |
5 |
|
|
|
= 10 |
||
|
|
|
|
|
−3 |
|||||
|
|
ВХмакс |
|
500 ∙ 10 |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Рис. 6 Класс D
Рис. 7 Класс D
Вывод: в ходе лабораторной работы экспериментально установили различные классы усиления биполярного транзистора. Определили оптимальную точку покоя и максимальную амплитуду неискажённого выходного сигнала, а также минимальную амплитуду входного напряжения, при которой транзистор переходит в режим насыщения.