ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ

Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение

высшего профессионального образования

«Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций

им. проф. М. А. Бонч-Бруевича»

___________________________________________________________________________

Практическая работа №2

Моделирование микрополосковой линии

Выполнили: ст. гр.

Проверил: ст. преподаватель

Дмитриева В.В.

Санкт-Петербург

2024

Вариант 2

W/h	f, ГГц	Материал диэлектрика
2	4.5	Поликор 𝜀𝑟 = 9,2

Код для расчета МПЛ в MATLAB

no=2;

wh=2;

h=20

w=wh*h

er=9.2;

f=4.5*10^9;

ur2=1;

l=3*10^8/f

eref1=(er+1)/2+(er-1)/(2*sqrt(1+10*h/w))

L=l/sqrt(eref1)

a=3*w

t=1

eref=(er+1)/2+(er-1)/(2*sqrt(1+10*h/w))+((er-1)*(t/h))/(4.6*sqrt(wh))

dwh=1.25/pi*(1+log(2*h/t))

we=h*(wh+dwh)

Z0=376.7/sqrt(eref)*(we/h+1.393+0.667*log(we/h+1.444))^(-1)

Полученные значения:

h = 20

w = 40

l = 0.0667

eref1 = 6.7738

L = 0.0256

a = 120

t = 1

Микрополосковая линия передачи представляет собой проводник, обычно выполненный из металла, расположенный на диэлектрике (диэлектрической подложке) - рисунок 1а, где нижний проводник выполняет функцию заземления. В таких линиях волны основного типа - поперечные волны класса Т, поскольку критическая длина волны у таких волн равна бесконечности. На рисунке 1 б изображено распределение поля данного типа мод.

Рисунок 1 а) МПЛ б) векторы ЭМП МПЛ

Микрополосковая линия (рисунок 2) с высотой диэлектрической подложки h и параметрами 𝜀𝑟 , μr2 = 1, σд2. Ширина и толщина полоски W и t соответственно. Параметр, а характеризует ширину самой линии.

Рисунок 2 Параметры МПЛ

Моделирование.

Рис.3 МПЛ в Ansys

Рис.4 МПЛ в Ansys

Зависимость КСВН от частоты:

Рис.5 График КСВН от частоты

Рис.6 График S-параметра

Распределение Т-волны в МПЛ:

Рис.7 Распределение Т-волны в МПЛ (вектор Н)

Рис.7 Распределение Т-волны в МПЛ (вектор Е)

x