Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
1
Добавлен:
11.06.2024
Размер:
105.98 Кб
Скачать

Экзаменационный билет № 2

По курсу «Радиационное материаловедение» для 7-го семестра (гр.Т7-60)

(лектор Девятко Ю.Н.)

1. Оценка параметров точечных дефектов в простых моделях. Кластеры и скопления точечных дефектов. Линейные дефекты. Двумерные и трехмерные скопления точечных дефектов. Петли, диски, поры.

2. Фазовые переходы первого рода: теория Ландау. Параметр порядка. Свободная энергия. Релаксация поля параметра порядка при фазовом переходе первого рода: случай сохраняющегося и несохраняющегося параметра порядка.

Зав. кафедрой № 32 _______________________________ Нарожный Н.Б.

МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Кафедра № 32

Экзаменационный билет № 3

По курсу «Радиационное материаловедение» для 7-го семестра (гр.Т7-60)

(лектор Девятко Ю.Н.)

1. Примесные атомы в состояниях внедрения и замещения. Инертные газы в металлах. Механизмы диффузии в кристаллах. Роль вакансий в диффузионных процессах.

2. Образование устойчивого дефекта при смещении атома. Энергия смещения. Общая картина явлений в каскаде атом-атомных соударений. Влияние упорядоченности кристаллической решетки на явления в каскаде атом-атомных соударений. Модель каскада Кинчина – Пиза. TRN – стандарт.

Зав. кафедрой № 32 _______________________________ Нарожный Н.Б.

МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Кафедра № 32

Экзаменационный билет № 4

По курсу «Радиационное материаловедение» для 7-го семестра (гр.Т7-60)

(лектор Девятко Ю.Н.)

1. Простейшие экспериментальные методы измерений свойств и концентраций точечных дефектов. Связь электросопротивления с концентрацией точечных дефектов. Правило Матиссена. Эксперименты по закалке и отжигу.

2. Уравнение Ланжевена для подвижных взаимодействующих точечных дефектов. Уравнения Фоккера-Планка системы взаимодействующих точечных дефектов. Переход к уравнению диффузии. Перенормировка коэффициента диффузии за счет взаимодействия дефектов.

Зав. кафедрой № 32 _______________________________ Нарожный Н.Б.

МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Кафедра № 32

Экзаменационный билет № 5

По курсу «Радиационное материаловедение» для 7-го семестра (гр.Т7-60)

(лектор Девятко Ю.Н.)

1. Образование устойчивого дефекта при смещении атома. Общая картина явлений в каскаде атом-атомных соударений. Влияние упорядоченности кристаллической решетки на явления в каскаде атом-атомных соударений. Модель каскада Кинчина – Пиза. TRN – стандарт.

2. Подвижность точечных дефектов. Диффузия точечных дефектов. Законы Фика. Уравнение Смолуховского. Механизмы диффузии в кристаллах. Роль вакансий в диффузионных процессах.

Зав. кафедрой № 32 _______________________________ Нарожный Н.Б.