3

Цель лабораторной работы: изучение схемотехники, основных параметров и характеристик логического элемента И-НЕ, являющегося базовым элементом цифровых интегральных микросхем.

Принципиальные электрические схемы логических элементов И-НЕ (рис. 1, 3, 4).

ПРОТОКОЛ К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №3

ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА И-НЕ

Работу выполняли студенты группы : (дата, подпись) (Ф.И.О.)

(дата, подпись) (Ф.И.О.)

(дата, подпись) (Ф.И.О.)

Преподаватель: В.И. Исаков

(дата, подпись) (Ф.И.О.)

Снятие статической передаточной характеристики логического

элемента

Таблица П1

Uвх, В	RK= RЭ=330 Ом	RK= RЭ=470 Ом	RK= RЭ=560 Ом
	Uвых, В
0.20	2.19	1.94	1.88
0.50	2.15	1.94	1.88
0.70	2.14	1.93	1.87
0.80	2.14	1.93	1.87
0.85	2.13	1.93	1.87
0.90	2.13	1.93	1.86
0.95	2.12	1.93	1.86
1.0	2.11	1.93	1.86
1.1	2.11	1.93	1.86
1.2	2.11	1.92	1.86
1.3	2.11	1.92	1.86
1.4	2.10	1.92	1.86
1.5	2.10	1.92	1.86
1.7	2.09	1.92	1.86
2.0	2.09	1.92	1.86
3.0	2.09	1.92	1.85

Таблица результатов экспериментальных исследований.

Зависимость постоянного выходного напряжения Uвых от постоянного входного напряжения Uвх=U при разных значениях Rк = Rэ показана на рисунке 2.

Uвых, В

Uвх, В

Рис. 2.

Рис.5 Осциллограммы выходных импульсов ЛЭ, снятые при RK= RЭ=330 Ом.

Рис.6 Осциллограммы выходных импульсов ЛЭ, снятые при RK= RЭ=470 Ом.

Рис.7 Осциллограммы выходных импульсов ЛЭ, снятые при RK= RЭ=560 Ом.

Выводы по работе:

Анализируя типовую статическую характеристику логического элемента (ЛЭ) на рисунке 2, можно отметить, что высокому уровню входного напряжения Uвх 1>1.1 В соответствует низкий уровень выходного напряжения (Uвых 0< 1.92 при Rк = Rэ = 470 Ом и Uвых 0< 1.86 при Rк = Rэ = 560 Ом; Uвых 0<2.11 при Rк=Rэ= 330 Ом).

Сравнивая графики можно констатировать, что фронт и спад выходного импульса будут менее сглажены, а значит и обеспечивающие большее быстродействие исследованного ЛЭ, в графике при сопротивлении 330 ОМ. Этот график является наиболее приближенным к графику идеального логического элемента.