Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекции / ЛЕКЦИЯ 2.2

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
03.05.2024
Размер:
754 Кб
Скачать
☆

Аппроксимация вольт-амперных характеристик.

•Для выполнения расчётов устройств,

содержащих НЭ, требуется представление ВАХ

в виде аналитического выражения.

•Процедура нахождения аналитического выражения для графически заданной кривой носит название аппроксимации.

11

•ВАХ одного и того же НЭ может быть аппроксимирована несколькими методами в зависимости от величины и формы воздействующего сигнала и требуемой точности.

12

Аппроксимация вольт-амперных характеристик

Вкачестве аппроксимирующих функций выбираются:

•кусочно-линейные,

•степенные полиномы,

•некоторые трансцендентные функции (показательные).

13

А) Кусочно-линейная аппроксимация

Аппроксимация определяется двумя параметрами – напряжением отсечки Uo и крутизной S, имеющей размерность проводимости.

Математическая форма аппроксимации ВАХ такова:

14

А) Кусочно-линейная аппроксимация

Используется: в режиме «большого» сигнала.

15

Б) Аппроксимация степенным полиномом

Полином степени (n ):

(1.6)

имеет (n+1 ) коэффициент.

Используется: в режиме «малого» сигнала.

Аппроксимация выполняется методом выбранных точек.

16

в) Показательная аппроксимация

•Из теории работы р-n- переходов следует, что ВАХ полупроводникового диода в области u>0 описывается выражением:

где Io - обратный ток насыщения,

uT – температурный потенциал равный 25 mВ для кремниевых приборов при стандартной температуре

300 К.

17

в) Показательная аппроксимация

•Используется: при значениях тока, не превышающих нескольких миллиампер.

•При больших значениях тока экспоненциальная характеристика плавно переходит в прямую линию из-за влияния объемного сопротивления полупроводникового материала.

18

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!

19

ЖДУ «СКАНЫ» на SDO

20