Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Sprav2006.pdf
Скачиваний:
5195
Добавлен:
16.03.2015
Размер:
4.41 Mб
Скачать

Справочник "Надежность ЭРИ"

 

 

Полупроводниковые приборы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тип изделия

 

Номер ТУ

 

tпер.макс, °С

 

 

tсниж, °С

Примечание

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т9129А, Б

 

аА0.339.714ТУ

150

 

125

Al

2Т9132АС

 

аА0.339.722ТУ

190

 

75

 

2Т9134А, Б

 

аА0.339.728ТУ

190

 

85

Al

2Т9135А-2

 

аА0.339.733ТУ

190

 

57

Al

2Т9136АС

 

аА0.339.804ТУ

200

 

40

 

2Т9137А

 

аА0.339.757ТУ

175

 

 

 

2Т9137Б

 

аА0.339.757ТУ

160

 

50

Al

2Т9139А

 

аА0.339.769ТУ

175

 

65

Al

2Т9139Б

 

аА0.339.769ТУ

200

 

25

Al

2Т9139Г

 

аА0.339.769ТУ

175

 

65

 

2Т9140А, Б

 

аА0.339.771ТУ

175

 

50

 

2Т9143А

 

АЕЯР.432150.048ТУ

150

 

50

 

2Т9146А – К

 

аА0.339.800ТУ

150

 

85

Al

2Т9147АС

 

аА0.339.802ТУ

200

 

60

 

2Т9149А, Б

 

АЕЯР.432153.008ТУ

185

 

50

 

2Т9153АС, БС, ВС

 

АЕЯР.432149.024ТУ

200

 

75

 

2Т9155А – В

 

АЕЯР.432150.051ТУ

200

 

50

 

2Т9156АС, БС, ВС

 

АЕЯР.432150.052ТУ

200

 

50

 

2Т9158А, Б

 

АЕЯР.432150.059ТУ

195

 

50

 

2Т9159А, А-5

 

АЕЯР.432140.066ТУ

200

 

50

 

2Т9161АС

 

АЕЯР.432150.093ТУ

200

 

50

 

2Т9162А – Г

 

АЕЯР.432150.096ТУ

200

 

50

 

2Т9164АС

 

АЕЯР.432150.101ТУ

200

 

60

 

2Т9175А – В

 

АЕЯР.432150.125ТУ

200

 

40

 

2Т9188А

 

АЕЯР.432140.154ТУ

200

 

160

 

2Т9196А-2, Б-2

 

АЕЯР.432140.210ТУ

175

 

125

 

2Т9197А – В

 

АЕЯР.432150.211ТУ

200

 

60

 

 

 

Сборки транзисторные СВЧ

 

 

 

 

2ТС393А-1, Б-1

 

ХМ3.363.000ТУ

 

125

 

 

45

 

 

 

 

 

2ТС393А-1Н, Б-1Н

 

ХМ3.363.000ТУ,

 

125

 

 

45

 

 

 

РМ 11091.926

 

 

 

 

 

 

2ТС393А93, Б93

 

ХМ3.363.000ТУ

 

125

 

 

45

 

2ТС398А-1, Б-1

 

СБ0.336.063ТУ

 

135

 

 

105

 

2ТС398А-1Н, Б-1Н

 

СБ0.336.063ТУ,

 

135

 

 

105

 

 

 

РМ 11091.926

 

 

 

 

 

 

2ТС398А94, Б94

 

аА0.339.632ТУ

 

135

 

 

105

 

2ТС3136А-1, Б-1

 

аА0.339.345ТУ

 

125

 

 

100

 

2ТС3103А, Б

 

аА0.339.031ТУ

 

175

 

 

55

 

Примечания: 1. В связи с тем, что для ряда изделий в ТУ или справочной литературе не приведены значения tпер.макс, в графе «tпер.макс» для таких изделий приводятся значения максимально допустимой по ТУ температуры окружающей среды или корпуса, отмеченные знаком «1)» или знаком «к1)». В этом случае для определения ориентировочных значений tпер.макс можно рекомендовать следующие выражения:

tпер.макс = t1)

– для изделий малой мощности;

tпер.макс = t1)

+ 20°С или tпер.макс = tк1)

+ 20°С – для изделий средней мощности;

tпер.макс = t1)

+ 50°С или tпер.макс = tк1)

+ 50°С – для изделий большой мощности, кроме

транзисторов биполярных мощных СВЧ;

tпер.макс = t1)

+ 100°С или tпер.макс = tк1) + 100°С – для транзисторов биполярных мощных СВЧ.

2. Для транзисторов биполярных мощных СВЧ в графе «Примечание» приведен материал металлизации на кристалле.

129

Справочник "Надежность ЭРИ"

Полупроводниковые приборы

ПОЯСНЕНИЯ К РАЗДЕЛУ

Математические модели для расчета эксплуатационной интенсивности отказов отдельных групп (типов) полупроводниковых приборов приведены в таблице 1.

 

 

Таблица 1

 

 

 

Группа изделий

Вид математической модели

 

 

(1)

(2)

 

 

 

 

Диоды, диодные сборки

λэ = λб Кр Кф Кs Кэ Кпр

λэ = λб.с.г Кр Кд.н Кф Кs Кэ Кпр

Стабилитроны, генераторы шума,

λэ = λб Кр Кэ Кпр

λэ = λб.с.г Кр Кэ Кпр

ограничители напряжения

 

 

Диоды СВЧ

λэ = λб Кр Кэ Кпр

λэ = λб.с.г Кр Кд.н Кэ Кпр

Транзисторы биполярные, кроме

λэ = λб Кр Кф Кs Кэ Кпр

λэ = λб.с.г Кр Кд.н Кф Кs Кэ Кпр

мощных СВЧ,

 

 

транзисторные сборки

 

 

 

 

 

Транзисторы биполярные мощные

λэ = λб Кt КF Кф Кэ Кпр

λэ = λб.с.г Кt КF Кф Кэ Кпр

СВЧ

 

 

Транзисторы полевые

λэ = λб Кр Кф Кэ Кпр

λэ = λб.с.г Кр Кф Кэ Кпр

Тиристоры

λэ = λб Кр Кэ Кпр

λэ = λб.с.г Кр Кд.н Кэ Кпр

Модель (2) используют для расчета эксплуатационной интенсивности отказов тех типов полупроводниковых приборов, для которых из-за отсутствия или недостаточности информации не приведены значения интенсивности отказов λб. Кроме этого, модель (2) используют для оценки уровня интенсивности отказов групп приборов в целом. Во всех остальных случаях используют модель (1).

Расчет эксплуатационной интенсивности отказов полупроводниковых приборов, находящихся в режиме ожидания, проводится по моделям вида:

для неподвижных объектов:

λэ.х = λб Кх Кt.х Кусл Кпр

или

λэ.х = λх.с.г Кt.х Кусл Кпр

(3)

для подвижных объектов:

 

 

 

λэ.х = λб Кх Кt.х Кэ Кпр

или

λэ.х = λх.с.г Кt.х Кэ Кпр

(4)

Приведенные в справочнике значения интенсивности отказов бескорпусных полупроводниковых приборов могут быть использованы для расчета надежности РЭА только в том случае, если технологические процессы монтажа и герметизации этих приборов в РЭА аналогичны технологическим процессам, используемым на предприятиях-изготовителях полупроводниковых приборов при производстве корпусных изделий.

Для бескорпусных приборов, отсутствующих в справочнике, могут быть использованы значения интенсивности отказов λб корпусных аналогов, если выполняются указанные выше условия.

130

Справочник "Надежность ЭРИ"

Полупроводниковые приборы

Определение составляющих (коэффициентов) моделей и других характеристик надежности приведено в разделе справочника "Методические указания".

Названия и номера таблиц, в которых помещены числовые значения составляющих (коэффициентов) моделей и другие справочные данные, приведены в таблице 2.

 

 

Таблица 2

 

 

 

 

Условные

Название таблицы

 

Номер

обозначения

 

таблицы

 

 

 

 

 

 

λб.с.г, λх.с.г, Кпр, Кз, Кх,

Характеристика надежности и справочные данные

 

6

d, dх, распределение

отдельных групп полупроводниковых приборов

 

 

отказов по видам

 

 

 

λб, d, Тн.м, Тр.γ, Тхр

Характеристика надежности и справочные данные

 

7

 

отдельных типов полупроводниковых приборов

 

 

Кр

Значения коэффициента режима Кр в зависимости отэлектри-

 

 

 

ческой нагрузки итемпературы окружающей среды или корпуса:

 

 

 

для диодов кремниевых, диодных сборок

 

8

 

для стабилитронов кремниевых, генераторов шума,

 

9

 

ограничителей напряжения

 

 

 

для транзисторов кремниевых биполярных, кроме мощных

 

10

 

СВЧ; транзисторов кремниевых полевых; транзисторных

 

 

 

сборок; кремниевых диодов СВЧ, кроме смесительных

 

 

 

и детекторных

 

 

 

для диодов СВЧ кремниевых смесительных и детекторных

 

11

 

для тиристоров кремниевых

 

12

 

для арсенидогаллиевых полупроводниковых приборов

 

13

Кt

Значения коэффициента Кt в зависимости от нагрузки

 

14

 

по напряжению и рабочей температуры перехода для мощных

 

 

 

СВЧ транзисторов

 

 

Кд.н

Значения коэффициента Кд.н в зависимости от максимально

 

15

 

допустимой, установленной в ТУ, электрической нагрузки

 

 

Кф

Значения коэффициента Кф в зависимости от функциональ-

 

16

 

ного назначения прибора

 

 

Кs

Значения коэффициента Кs в зависимости от величины рабоче-

 

17

 

го напряжения относительно максимально допустимого по ТУ

 

 

КF

Значения коэффициента КF в зависимости от частоты и мощ-

 

18

 

ности рассеяния в импульсе для мощных СВЧ транзисторов

 

 

Кt.х

Значения коэффициента Кt.х в зависимости от температуры

 

19

 

окружающей среды для различных групп полупроводниковых

 

 

 

приборов

 

 

Кэ

Значения коэффициента жесткости условий эксплуатации Кэ

 

20

 

для различных групп полупроводниковых приборов

 

 

131

Справочник "Надежность ЭРИ"

Полупроводниковые приборы

Математическая модель для расчета коэффициента режима Кр в зависимости от электрической нагрузки и температуры окружающей среды имеет вид:

для кремниевых полупроводниковых приборов, кроме диодов СВЧ смесительных и детекторных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Nт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

273+t+(175−tпер.макс )+

 

t

пер.макс

−t

сниж

 

 

 

 

t Кэл

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кр = А е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×

 

 

t

 

 

−t

 

 

 

L

 

(5)

 

пер.макс

сниж

 

 

 

 

 

 

273+t+(175−tпер.макс )+

t Кэл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для кремниевых диодов СВЧ смесительных и детекторных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Nт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

273+t+(150−tпер.макс )+

 

t

пер.макс

−t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сниж

 

 

 

t Кэл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

125

 

 

 

Кр = А е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×

 

 

t

 

 

−t

 

 

L

 

(6)

 

пер.макс

 

 

 

 

 

 

 

 

273+t+(150−tпер.макс )+

 

 

 

 

 

сниж

 

 

 

 

 

 

 

 

t Кэл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

125

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где А, NТ, TМ, L, t – постоянные модели;

t – температура окружающей среды (для отдельных приборов в соответствии с ТУ берется температура корпуса);

Кэл – отношение рабочей электрической нагрузки к максимально допустимой при температуре, равной tсниж;

tсниж – максимальная температура окружающей среды, для которой при 100% электрической нагрузке температура перехода не превышает максимально допустимую tпер.макс.

Если температура окружающей среды превысит значение tсниж, электрическая нагрузка на прибор должна быть снижена, т.к. в противном случае температура перехода превышает максимально допустимую.

Значения tсниж и tпер.макс для отдельных типов приборов приведены в перечне к разделу.

132

Iпр.ср.макс
Iст.раб

Справочник "Надежность ЭРИ"

Полупроводниковые приборы

Значения коэффициента Кэл для основных групп полупроводниковых приборов можно рассчитать в соответствии с таблице 3.

Таблица 3

Группа изделий

 

 

 

 

Кэл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диоды, кроме варикапов подстроечных,

 

 

Iпр.ср.раб

 

 

 

диодные сборки

 

 

Iпр.ср.макс

 

 

 

Стабилитроны, генераторы шума,

 

Iст.раб

 

или

 

Рраб

ограничители напряжения

 

Iст.макс

 

 

Рмакс

 

Варикапы подстроечные

 

 

 

 

Рраб

 

 

 

Транзисторы, транзисторные сборки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рмакс

 

 

 

Диоды СВЧ

 

 

 

 

 

 

 

Тиристоры

 

 

 

Iст.раб

 

 

 

 

 

 

 

Iст.макс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где Iпр.ср.раб – рабочий средний прямой ток;

– максимально допустимый средний прямой ток при температуре, равной tсниж;

– рабочий ток стабилизации;

Iст.макс – максимально допустимый ток стабилизации при температуре, равной tсниж; Рраб – рабочая мощность рассеяния;

Рмакс – максимально допустимая мощность рассеяния при температуре, равной tсниж; Iср.раб – рабочий средний ток;

Iср.макс – максимально допустимый средний ток при температуре, равной tсниж.

Для кремниевых приборов, имеющих tпер.макс ≥ 175°С и tсниж = 25°С, а для диодов СВЧ смесительных и детекторных, имеющих tпер.макс ≥ 150°С и tсниж = 25°С, модели (5) и (6) приобретают вид:

 

N

т

 

 

 

273 +t + t К

эл

L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кр = А е

273 +t +

t Кэл

е

Тм

 

 

(7)

Для приборов на основе арсенида галлия математическая модель для расчета коэффициента режима Кр имеет вид:

 

Nт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кр = А е

273 +t +

t Кэл

(8)

Значения постоянных для расчета Кр по моделям (5), (6), (7), (8) приведены в таблице 4.

133

Справочник "Надежность ЭРИ"

 

 

Полупроводниковые приборы

 

 

 

 

 

Таблица 4

 

 

 

 

 

 

 

Группа изделий

А

NT

Tм

L

 

t

 

 

 

 

 

 

 

Полупроводниковые приборы

 

 

 

 

 

 

на основе кремния:

 

 

 

 

 

 

Диоды, диодные сборки

44,1025

-2138

448

17,7

 

150

Стабилитроны, ограничители

2,1935

-800

448

14,0

 

150

напряжения, генераторы шума

 

 

 

 

 

 

Диоды СВЧ смесительные и

0,95

-394

423

15,6

 

125

детекторные

 

 

 

 

 

 

Транзисторы биполярные,

5,2

-1162

448

13,8

 

150

кроме мощных СВЧ, полевые.

 

 

 

 

 

 

Транзисторные сборки.

 

 

 

 

 

 

Диоды СВЧ, кроме смесительных

 

 

 

 

 

 

и детекторных

 

 

 

 

 

 

Тиристоры

37,2727

-2050

448

9,6

 

150

Полупроводниковые приборы

84600

-4499

 

99

на основе арсенида галлия

 

 

 

 

 

 

Значения Кр, рассчитанные по моделям (7) и (8), приводятся в таблицах 8 – 13.

Для кремниевых полупроводниковых приборов, имеющих сочетание значений tпер.макс и tсниж, отличных от приведенных выше, можно воспользоваться этими же таблицами, предварительно откорректировав величину электрической нагрузки, и, если необходимо, температуру окружающей среды.

Корректировка электрической нагрузки проводится путем умножения величины заданной электрической нагрузки на поправочный коэффициент В, а корректировка температуры окружающей среды – посредством добавления к заданной температуре окружающей среды температурной добавки tдоб.

Коэффициент В определяется для основных групп кремниевых полупроводниковых приборов по таблице 5.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 5

 

 

 

 

 

 

В1)

 

Группа изделий

tпер.макс, °C

tсниж, °C

 

 

 

tдоб, °C

 

 

 

 

 

175 − tсниж

 

Диоды, диодные сборки, стабили-

≥ 175

> 25

 

 

троны, ограничители напряжения,

150

 

 

 

 

 

 

 

генераторы шума, тиристоры,

< 175

≥ 25

 

 

tпер.макс −tсниж

 

 

транзисторы, транзисторные сборки,

 

 

175 − tпер.макс

 

 

150

 

 

диоды СВЧ (кроме смесительных

 

 

 

 

 

и детекторных)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

≥ 150

> 25

 

 

 

150 − tсниж

 

 

Диоды СВЧ смесительные

125

< 150

≥ 25

 

 

 

и детекторные

 

tпер.макс − tсниж

150 − tпер.макс

 

 

 

 

125

 

 

 

Примечание: 1) Если в перечне к разделу в графе «tсниж» стоит прочерк, то при расчете величины В значение tсниж принимают равным максимально допустимой по ТУ температуре окружающей среды или tпер.макс.

134

Uраб
Uмакс

Справочник "Надежность ЭРИ"

Полупроводниковые приборы

Откорректированное значение электрической нагрузки Кэл = Кэл·В; откорректированное значение температуры окружающей среды t= t + tдоб. По значениям Кэл и t или Кэл и t

из соответствующих таблиц 8 – 13 определяют значение Кр.

Если величины электрической нагрузки и температуры окружающей среды таковы, что значения коэффициента Кр попадают в незаполненную часть таблиц 8 – 13, прибор считается перегруженным и не должен эксплуатироваться в таких условиях.

Для транзисторов биполярных мощных СВЧ модель для расчета коэффициента Кt в зависимости от нагрузки по напряжению и рабочей температуры перехода имеет вид:

для металлизации алюминием:

 

7

 

U

 

 

 

Кt = 3,96 10

 

раб

−0,35

 

е

 

 

 

 

 

U

 

 

 

макс

 

 

 

 

5770

 

 

 

 

 

 

 

t

пер

+273

 

 

 

 

 

для 100°С ≤ tпер ≤ 200°С

 

 

 

 

 

или

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

раб

 

−0,35

 

 

 

для tпер < 100°С;

Кt = 7,58 U

 

 

 

 

 

 

 

макс

 

 

 

 

 

 

 

 

для металлизации золотом:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кt = 0,08 (tпер

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

раб

−0,35

 

для 100°С ≤ tпер ≤ 200°С

75) U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

макс

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

раб

−0,35

 

 

 

 

 

для tпер < 100°С,

 

 

 

 

 

 

Кt = 2 U

 

 

 

 

 

 

 

макс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где tпер – рабочая температура перехода; tпер = t + 100°С; t – температура окружающей среды;

Uраб – приложенное напряжение;

Uмакс – максимально допустимое по ТУ напряжение коллектор–эмиттер;

≥ 0,4 .

135

136

ТАБЛИЦЫ ДЛЯ РАСЧЕТА НАДЕЖНОСТИ

Таблица 6

Характеристика надежности и справочные данные отдельных групп полупроводниковых приборов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Распределение отказов по видам, %

 

Кпр

 

Группа изделий

d,

λб.с.г 10

6

,

dх,

λх.с.г 10

8

,

Кх

 

внезапные

 

посте-

приемка

Кз

 

 

 

 

пенные

 

шт.

1/ч

 

 

шт.

1/ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

обрыв

 

короткое

 

пробой

парамет-

5 (ВП)

9 (ОС)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

замыкание

 

рические

 

Приборы полупроводниковые, кроме приборов СВЧ диапазона

 

 

 

 

 

 

Диоды кремниевые:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

диоды выпрямительные

55

0,091

 

 

0

0,0086

 

0,0009

 

 

 

 

 

 

 

 

0,2

 

диоды импульсные

27

0,025

 

 

3

0,002

 

 

0,0008

 

 

 

 

 

 

 

 

0,45

 

столбы выпрямительные

16

0,21

 

 

0

0,176

 

 

0,0084

 

 

 

 

 

 

 

 

0,35

 

варикапы подстроечные

16

0,022

 

 

0

0,002

 

 

0,0009

14

 

6

 

 

 

 

 

0,6

 

диодные сборки

0

0,008

 

 

1

0,088

 

 

0,011

 

 

 

 

 

 

 

 

0,45

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Стабилитроны

30

0,0041

 

0

0,0056

 

0,0136

 

 

 

 

 

80

 

 

0,2

1,4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ограничители напряжения

1

0,0043

 

0,0057

 

0,0132

 

 

 

 

1

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Генераторы шума

0

0,086

 

 

0

0,009

 

 

0,001

 

 

 

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Транзисторы биполярные кремниевые

54

0,044

 

 

6

0,013

 

 

0,003

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Транзисторные сборки кремниевые

5

0,095

 

 

 

 

 

 

0,0007

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

4

 

 

 

 

 

0,35

 

Транзисторы полевые:

 

 

 

 

0

0,007

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кремниевые

29

0,065

 

 

 

 

0,0011

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

арсенидогаллиевые

14

0,578

 

 

 

 

 

 

0,0001

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тиристоры кремниевые

25

0,2

 

 

8

0,079

 

 

0,0039

15

 

3

 

 

82

 

 

0,2

1,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

137

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Распределение отказов по видам, %

Кпр

 

Группа изделий

d,

λб.с.г 10

6

,

dх,

λх.с.г 10

8

,

Кх

 

внезапные

 

посте-

приемка

Кз

 

 

 

 

пенные

 

шт.

1/ч

 

 

шт.

1/ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

обрыв

 

короткое

 

пробой

парамет-

5 (ВП)

9 (ОС)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

замыкание

 

рические

 

 

Приборы полупроводниковые СВЧ диапазона

 

 

 

 

 

 

 

 

Диоды СВЧ:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

смесительные:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кремниевые

0

0,05

 

 

 

 

 

 

0,027

 

 

 

 

 

 

 

 

 

арсенидогаллиевые

1

0,13

 

 

 

 

 

 

0,01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

детекторные:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кремниевые

2

0,27

 

 

 

 

 

 

0,0051

 

 

 

 

 

 

 

 

 

арсенидогаллиевые

0

0,42

 

 

 

 

 

 

0,0033

 

 

 

 

 

 

 

 

 

параметрические арсенидогаллиевые

2

0,26

 

 

 

 

 

 

0,0053

 

 

 

 

 

 

 

 

 

переключательные и ограничительные:

 

 

 

 

26

0,137

 

 

 

17

 

33

 

6

44

 

0,6

 

кремниевые

10

0,15

 

 

 

 

 

 

0,0091

 

 

 

 

 

 

 

 

 

арсенидогаллиевые

0

0,16

 

 

 

 

 

 

0,0086

 

 

 

 

 

 

1

 

1,6

умножительные и настроечные:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кремниевые

45

1,61

 

 

 

 

 

 

0,0009

 

 

 

 

 

 

 

 

 

арсенидогаллиевые

2

0,27

 

 

 

 

 

 

0,0051

 

 

 

 

 

 

 

 

 

генераторные:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кремниевые

0

0,14

 

 

 

 

 

 

0,01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

арсенидогаллиевые

8

0,2

 

 

 

 

 

 

0,0068

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Транзисторы СВЧ биполярные кремниевые:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

малой и средней мощности

31

0,064

 

 

7

0,22

 

 

0,034

28

 

20

 

52

 

0,35

 

большой мощности

18

0,18

 

 

 

 

0,012

15

 

 

65

 

0,4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Транзисторные сборки СВЧ

0

0,019

 

 

 

 

 

 

0,12

28

 

 

 

 

52

 

0,35

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]