
- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •Задача 1
- •Решение
- •Задача 2
- •Решение
- •Задача 3
- •Решение
- •Задача 4
- •Решение
- •Задача 5
- •Решение
- •Задача 6
- •Решение
- •Задача 7
- •Решение
- •Задача 8
- •Решение
- •Задача 9
- •Решение
- •Задача 10
- •Решение
- •2. СВОЙСТВА МОП-СТРУКТУР
- •Задача 11
- •Решение
- •Задача 12
- •Решение
- •Задача 13
- •Решение
- •Задача 14
- •Решение
- •Задача 15
- •Решение
- •Задача 16
- •Решение
- •Задача 17
- •Решение
- •Задача 18
- •Решение
- •3. ДИОДЫ И СВОЙСТВА P-N ПЕРЕХОДОВ
- •Задача 19
- •Решение
- •Задача 20
- •Решение
- •Задача 21
- •Решение
- •Задача 22
- •Решение
- •Задача 23
- •Решение
- •Задача 24
- •Решение
- •Задача 25
- •Решение
- •Задача 26
- •Решение
- •Задача 27
- •Решение
- •Задача 28
- •Решение
- •Решение
- •Задача 30
- •Решение
- •Задача 31
- •Решение
- •Задача 32
- •Решение
- •Задача 33
- •Решение
- •Задача 34
- •Решение
- •Задача 35
- •Решение
- •Задача 36
- •Решение
- •5. ПРИЛОЖЕНИЯ. ПАРАМЕТРЫ, КОНСТАНТЫ, ТИПИЧНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
- •Список рекомендуемой литературы
- •Содержание
Задача 2
Пользуясь результатами предыдущей задачи, найти формулу для расчета положения уровня Ферми при заданном уровне легирования полупроводника.
а). Как меняется положение энергии Ферми в зависимости от разности ND - NA при фиксированной температуре?
б). Как изменяется положение уровня Ферми при изменении температуры при фиксированном уровне легирования?
в). Где будет находиться энергия Ферми при условии |ND - NA| << ni? За счет чего обеспечивается электронейтральность полупроводника в этом случае?
г). Обсудить область применимости полученных формул.
Решение
В полупроводнике, находящемся в состоянии равновесия, концентрация свободных электронов и дырок связана с энергией Фер-
ми соотношениями: |
|
n = NC exp(−(EC −EF ) / kT ), |
(2.1) |
p = NV exp(−(EF −EV ) / kT ), |
(2.2) |
где NC и NV – эффективные плотности состояний в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. Эти параметры определяются расчетным путем (оба имеют величину ~ 1019 см-3) и имеют слабую зависимость от температуры (NC ~ NV ~ T3/2), которой можно почти всегда пренебречь в сравнении с экспоненциальной зависимостью в (2.1 – 2.2).
Положение энергии Ферми в однородном полупроводнике следует находить из условия электронейтральности. Приравнивая соответственно (2.1) и (1.4), а также (2.2) и (1.3), получаем два выражения:
EF EC – kT ln[NC/n], |
(2.3) |
EF EV + kT ln[NV/p], |
(2.4) |
где n и p определяются (1.3) и (1.4). Отметим, что для равновесного случая эти выражения полностью эквивалентны друг другу и согласуются с формулой (1.1) и соотношением
ni2 = NC NV exp[-(EC - EV)/kT]. |
(2.5) |
5 |
|