- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •Задача 1
- •Решение
- •Задача 2
- •Решение
- •Задача 3
- •Решение
- •Задача 4
- •Решение
- •Задача 5
- •Решение
- •Задача 6
- •Решение
- •Задача 7
- •Решение
- •Задача 8
- •Решение
- •Задача 9
- •Решение
- •Задача 10
- •Решение
- •2. СВОЙСТВА МОП-СТРУКТУР
- •Задача 11
- •Решение
- •Задача 12
- •Решение
- •Задача 13
- •Решение
- •Задача 14
- •Решение
- •Задача 15
- •Решение
- •Задача 16
- •Решение
- •Задача 17
- •Решение
- •Задача 18
- •Решение
- •3. ДИОДЫ И СВОЙСТВА P-N ПЕРЕХОДОВ
- •Задача 19
- •Решение
- •Задача 20
- •Решение
- •Задача 21
- •Решение
- •Задача 22
- •Решение
- •Задача 23
- •Решение
- •Задача 24
- •Решение
- •Задача 25
- •Решение
- •Задача 26
- •Решение
- •Задача 27
- •Решение
- •Задача 28
- •Решение
- •Решение
- •Задача 30
- •Решение
- •Задача 31
- •Решение
- •Задача 32
- •Решение
- •Задача 33
- •Решение
- •Задача 34
- •Решение
- •Задача 35
- •Решение
- •Задача 36
- •Решение
- •5. ПРИЛОЖЕНИЯ. ПАРАМЕТРЫ, КОНСТАНТЫ, ТИПИЧНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
- •Список рекомендуемой литературы
- •Содержание
β = |
|
αT |
|
= |
γ αT |
|
|
|
|
|
|
. |
(31.3). |
||
1−γ |
|
|
1−γ αT |
||||
|
γ |
+1 |
−αT |
|
|||
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
В случае короткой базы получаем αT = 1 - WB2/2 Dn. Рассмотрим два предельных случая:
а). очень короткая база: рекомбинация в базе отсутствует; τF/τn → 0, коэффициент усиления равен
β = |
|
|
γ |
. |
(32.4) |
|
1 |
−γ |
|||||
|
|
|
||||
Все дырки, поступающие из базового контакта, уходят в эмиттер;
б). Очень длинная база; время пролета много больше времени жизни (τF/τn >>1), практически все электроны, инжектированные из эмиттера, рекомбинируют в базе и не достигают коллектора.
Коэффициент переноса в последнем случае стремится к нулю αT → 0, а вместе с ним стремится к нулю и β (см. (31.3)). Ток коллектора уже не управляется током базы, поскольку практически весь ток дырок из контакта базы идет на рекомбинацию электронов, инжектируемых из эмиттера. Из-за этого электроны практически не доходят до коллектора, и ток в нем представляет собой очень малый ток обратносмещенного коллекторного p-n перехода.
Задача 32
Имеем биполярный транзистор n-p-n типа; легирование эмиттера 1018 см-3; легирование базы 1017 см-3. Ширина нейтральной области эмиттера WE = 2 мкм, а базы – 0.4 мкм. Время жизни электронов в базе составляет 100 нс. Вычислить эффективность эмиттера, коэффициент переноса и коэффициент усиления транзистора в прямом активном режиме. Подвижность электронов и дырок принять равной 1000 и 300 см2/(В×с) соответственно. Какая часть базового тока будет уходить в эмиттер?
Решение
Коэффициент эффективности эмиттера
34